实用新型已授权

一种横向绝缘栅双极晶体管

📄 申请号：CN202022964315.1 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2020-12-11

公开号

CN213988864U

公开日

2021-08-17

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_02

IPC 分类号

H01L23_02 , H01L23_04 , H01L23_13 , H01L29_423 , H01L23_367 , H01L23_00 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率半导体器件电力电子器件

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变, 风力发电, 工业电机驱动, 轨道交通

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摘要

本实用新型公开了一种横向绝缘栅双极晶体管，包括晶体管本体，晶体管本体的外侧设有防护壳体，防护壳体上开设有圆形定位孔，防护壳体的上端开设有条形散热槽，防护壳体的上下两端固定粘接有橡胶防护垫，晶体管本体的两端设有凹槽，凹槽内设有连接块，该双极晶体管设置有防护壳体，可以对防护壳体进行保护，同时防护壳体上的圆形定位孔可以对其进行定位，配合上下两端的橡胶防护垫可以对双极晶体管进行充分的保护；可以通过上下两端的连接块将双极晶体管进行进一步的固定，并且左右两侧设有四个晶体板，可以多方位的进行数据合格信息的传导，使用效率较高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

当前第 / 件

一种三维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_02)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：128 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

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