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本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，电容器包括：半导体衬底；叠层结构，包括n层导电层和m层电介质层，第i层导电层中设置有至少一个第i隔离沟槽，第i+1层导电层设置于第i层导电层的上方和至少一个第i隔离沟槽内，奇数层导电层中的隔离沟槽在竖直方向上存在第一重叠区域，偶数层导电层中的隔离沟槽在竖直方向上存在第二重叠区域，第一重叠区域与第二重叠区域不重叠，m、n、i为正整数，且n≥2，1≤i≤n‑1；至少一个第一外接电极通过设置于第二重叠区域内的第一导电通孔结构电连接至所有奇数层导电层；至少一个第二外接电极通过设置于第一重叠区域内的第二导电通孔结构电连接至所有偶数层导电层。

本申请实施例提供一种电容器及其制作方法，电容器包括：半导体衬底，包括至少一个衬底沟槽组；至少一个叠层结构，每个叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，n层导电层中的第一层导电层设置于半导体衬底上方和衬底沟槽组内，n层导电层中的第i层导电层形成有第i导电层沟槽组，n层导电层中的第i+1层导电层设置于第i层导电层的上方和第i导电层沟槽组内，m、n、i为正整数，且n≥2，1≤i≤n‑1；至少一个第一外接电极，电连接至n层导电层中的一部分导电层；至少一个第二外接电极，电连接至n层导电层中的另一部分导电层，一部分导电层中的每层导电层在叠层结构中相邻的导电层包括有另一部分导电层中的至少一个导电层。

本申请提供一种半导体结构及其制作方法，能够制作非直线型的沟槽结构，可以在不增大深宽比且维持占地面积不变的情况下，提升沟槽结构表面积。该半导体结构包括：衬底，包括相对设置的上表面和下表面；至少一个沟槽结构，设置于所述衬底，并自所述上表面向下形成；其中，所述沟槽结构在所述上表面的投影形成曲线型或者折线型的第一图案，所述第一图案包括彼此相邻的n个第二图案，所述n个第二图案中奇数位的第二图案相同，且偶数位的第二图案相同，n为正整数。