专利交易市场

本发明公开了一种实现3D封装芯片互连的记忆焊点，属于电子器件三维封装领域。使用市售的Sn粉、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂以及亚微米CuZnAl记忆合金颗粒，制备膏状含记忆合金颗粒锡膏，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(5MPa～10MPa)和温度(235℃～255℃)条件下实现芯片的垂直堆叠互连，形成记忆焊点。

本实用新型公开了一种MOS芯片焊接定位结构，其包括：MOS芯片、铜夹、基板和定位块，所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹，所述MOS芯片设置在基板的正面，所述第一铜夹设置在MOS芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸，所述第二铜夹设置在MOS芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸，所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位。本实用新型所述的MOS芯片焊接定位结构，通过定位块进行铜夹在基板上的定位，避免铜夹在高温焊接过程中的偏移，提升了铜夹在MOS芯片封装注塑过程中的稳定性。

本实用新型公开了一种高敏半导体芯片封装引脚，包括第一引脚与第二引脚，第一引脚的一端设有承接器，第二引脚的一端设有插接器，承接器与插接器为大小相同的圆形金属片，承接器与插接器上均设有沉孔，沉孔内设有芯体，承接器设有锁孔，插接器设有锁件，锁件插入锁孔内，有益效果为：本方案的封装引脚结构能够极大程度的改变传统的引脚结构，将两支引脚放入固定模具上，通过机器将高敏半导体芯片放入引脚的冲压端，承接器与插接器配合将芯片芯体固定好，进行热熔固定时，由于引脚的结构设计，将位置偏移的问题降到最低，实现了对半导体加工质量的提升，切实的解决了现实问题，适宜推广使用。

本公开涉及晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置。提供有一种晶片堆叠结构，包括：第一晶片，包括：具有金属垫盘结构的第一衬底和第一绝缘层及其中的导电层，第一绝缘层具有露出第一晶片中的导电层的部分的一个或多个开口；第二晶片，包括：第二衬底，第二绝缘层及其中的导电层以及包括与第二晶片中的导电层电连接的一个或多个导电凸块的接合部，导电凸块被配置为与露出的第一晶片中的导电层的部分键合；第三晶片，通过接合层与第一晶片接合，包括：第三衬底和第三绝缘层及其中的导电层；以及穿透第三晶片和接合层直至金属垫盘的TSV，该TSV穿透第三晶片中的导电层并与之电连接，从而提供金属垫盘和第三晶片中的导电层之间的电连接。