实用新型已授权

一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

📄 申请号：CN202022977172.8 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2020-12-11

公开号

CN213988866U

公开日

2021-08-17

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_13

IPC 分类号

H01L23_13 , H01L23_29 , H01L29_06 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅技术沟槽栅结构

应用场景

电源管理, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网, 功率集成电路

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摘要

本实用新型公开了一种二维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括衬底衬底的上端设有结构本体，结构本体的下端开设有凹槽，衬底的上端齿牙，齿牙的外侧插接于凹槽内，衬底的外壁设有弹性层，弹性层的外侧设有防腐层，防腐层的外侧设有耐磨层。该结构设有多个防护层可以对SOI‑LIGBT结构进行充分的保护；通过齿牙插入到凹槽中，在采用粘胶进行固定，使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种IGBT半导体器件

当前第 / 件

一种横向绝缘栅双极晶体管

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_13)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

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