实用新型已授权

一种三维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

📄 申请号：CN202022964317.0 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2020-12-11

公开号

CN213988865U

公开日

2021-08-17

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_12

IPC 分类号

H01L23_12 , H01L23_00 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘栅双极晶体管 SOI器件

应用场景

功率集成电路, 电机驱动, 新能源汽车电控, 光伏逆变器, 工业自动化

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摘要

本实用新型公开了一种三维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构，包括器件本体，器件本体的下端固定有挡板，挡板之间固定有螺纹杆，螺纹杆上滑动设置有杆套，杆套上固定有衔接块，衔接块上固定有底脚，底脚上设置有安装孔。通过底脚的移动，使得器件本体在固定时，可配合实际安装位置进行调整，同时，绕线柱能够对多余的导线进行缠绕，避免线路过长出现拉扯断线的情况，收紧帽能够对缠绕的导线进行包裹收紧。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种横向绝缘栅双极晶体管

当前第 / 件

一种FRD芯片

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_12)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：122 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

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