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本发明公开一种高品质因数的差分电感器结构及其制作工艺。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧，且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。利用圆环内的硅通孔阵列构造三维差分电感器，差分电感内部的耦合(金属层和重新布局层中的金属线中的电流流向两两异向)和较小的有效面积将提高电感值。

本发明公开一种基于硅通孔的高品质三维电感器及其制备工艺。本发明由多个电感元件单元构成，输入输出端口位于金属层和重新布局层；电感元件单元包括位于金属层、一个圆环状硅通孔阵列、重新布局层。圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列，内圈和外圈上各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。本发明运用金属线连接圆环内外圈中的硅通孔阵列，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用同圆环内圈或外圈中相邻硅通孔的电流流向都相同，来增强电感值，并且挖出圆环内部硅基底以减少损耗，此外还大大的减少了片上的占用面积。

一种电容器(100)及其制作方法，电容器(100)包括：半导体衬底(110)；第一绝缘层(120)，设置于半导体衬底(110)的下方；第一沟槽组(10)，设置于半导体衬底(110)和第一绝缘层(120)，第一沟槽组(10)包括至少两个第一沟槽，至少两个第一沟槽自半导体衬底(110)的上表面向下贯穿半导体衬底(110)且进入第一绝缘层(120)，且至少两个第一沟槽的底部连通，以形成位于第一绝缘层(120)的第一空腔结构(30)；叠层结构(130)，设置在半导体衬底(110)上方、第一沟槽组(10)内和第一空腔结构(30)内，叠层结构(130)包括n层绝缘层和n层导电层，m层绝缘层和n层导电层形成导电层与绝缘层彼此相邻的结构，m和n为正整数；第一电极层(140)，电连接至n层导电层中的所有奇数层导电层；第二电极层(150)，电连接至n层导电层中的所有偶数层导电层。

一种电容器及其制作方法，该电容器(100)包括：衬底(110)；第一沟槽(10)，设置于该衬底(110)，并自衬底(110)的上表面向下进入衬底(110)；叠层结构(120)，设置在衬底(110)上方和第一沟槽(10)内，包括m层电介质层和n层导电层，该m层电介质层和该n层导电层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，该m层电介质层中的每层电介质层(124、125)包括至少一种相对介电常数k大于或者等于第一阈值的高k绝缘材料，该n层导电层中每层导电层(121、122、123)包括至少一种功函数大于或者等于第二阈值的高功函数导电材料，m和n为正整数；第一电极(130)电连接至该n层导电层中的所有奇数层导电层，第二电极(140)电连接至该n层导电层中的所有偶数层导电层。

本发明公开了一种基于TSV垂直开关的惠斯通电桥可变电感器，包括顶部介质层a、中间硅衬底层和底部介质层b，硅衬底层中央设置有TSV垂直开关，TSV垂直开关具有漏极、栅极和源极，通过给栅极‑源极和漏极‑源极加不同的电压，可控制TSV垂直开关的通断，TSV垂直开关相对两侧的硅衬底层上分别设置有两排交错的硅通孔阵列，四排硅通孔通过金属线交替连接形成惠斯通电桥的四个桥臂，分别为电感L1、电感L2、电感L3和电感L4，电感L2和电感L3的一侧通过顶部金属线h相连通，电感L2和电感L3的另一侧通过顶部金属线i相连通，金属线h上引出有电感器输入端，金属线i上引出有电感器输出端。

本发明公开了一种基于TSV和RDL的三维电容器，包括硅衬底，硅衬底的一个端面设置有RDL顶面金属层、与RDL顶面金属层相对的另一个端面设置有RDL底面金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层形状、大小相同，RDL顶面金属层上方还设置有RDL金属层，RDL顶面金属层和RDL底面金属层之间沿纵向连接有若干个圆柱形TSV，各个圆柱形TSV分布在硅衬底内。本发明的一种基于TSV和RDL的三维电容器，在于TSV的阵列电容外加两层RDL构成的MIM电容构成的三维集成电容器，大幅提高了集成电容器的质量和电容密度，可广泛用于模拟集成电路、模/数混合集成电路和射频/微波电路。