本发明公开差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构。本发明采用在差分对结构间引入补偿电容的方法，从而达到降低差分信号之间的串扰。差分信号传输结构包括顶层介质层和底层半导体衬底层。顶层介质层内设置有两个MIM电容；第一MIM电容由第一金属上极板、第一MIM电容介质、第一金属下极板构成，第二MIM电容由第二金属上极板、第二MIM电容介质、第二金属下极板构成；底层半导体衬底层内设有五个上下贯通的硅通孔；第一金属柱、第二金属柱组成第一个差分对结构，第三金属柱、第四金属柱组成第二个差分对结构，用于传输差分信号；第五金属柱作为返回路径。
📄 2018103201481
📂 H01L23_538
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-04-11
本发明公开了一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法，包括硅衬底、第一介质层、第一参考线、第二介质层、碳纳米管束、第三介质层、第二参考线、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘和第四金属焊盘。本发明将碳纳米管作为传输通道，并在碳纳米管两端设置四个金属焊盘，组成两个信号传输通道，分别传输正信号和负信号，在不增加额外芯片面积下使得层与层之间的I/O口数量变为两倍；正信号和负信号的差分结构设计可有效抑制共模噪声和电磁干扰，提高高速信号的传输质量；显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率。
📄 2018111396960
📂 H01L23_538
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-09-28
本发明公开便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺。包括硅衬底、介质层、半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管、金属焊盘；所述的硅衬底开有两个通孔，通孔由半导体性碳纳米管层，以及分别设置在半导体性碳纳米管层两侧的金属性碳纳米管层构成，且半导体性碳纳米管层完全阻隔两金属性碳纳米管层；硅通孔外周设置有介质层；金属性碳纳米管层的上下两端设有金属焊盘。本发明可以减少三维集成电路差分传输结构中的硅通孔数量，显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率；用碳纳米管束作为传输通道填充材料，具有优越的力学性能、电学性能和热学性能。
📄 201910734502X
📂 H01L23_538
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-08-09
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