本发明公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本发明器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本发明器件的阳极，本发明与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。
📄 2019112204731
📂 H01L29_739
👤 济宁学院
📅 2019-12-03
本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。
📄 2019112417738
📂 H01L29_739
👤 西安理工大学
📅 2019-12-06
本发明提供了一种消除负阻效应的RC‑IGBT器件。该RC‑IGBT器件与传统器件相比，在N型集电区和P型集电区上方有混合交替排列的N型和P+型缓冲层，且最靠近N型集电区的P+柱边缘超过N型缓冲层。由于上述混合交替排列N型和P型的缓冲层对场截止区的多区段的隔离作用，电子或空穴需要爬过多个P型区域，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期N型集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC‑IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。
📄 202010023986X
📂 H01L29_739
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-01-09
本发明公开了一种逆导双极型晶体管，属于半导体器件技术领域，本发明相比于传统逆导IGBT结构，在集电极侧设置了集电极侧部分超结结构和集电极短路沟槽结构，同时移除了N‑缓冲层结构。在反向导通状态下，集电极侧部分超结的横向耗尽使得P‑柱发生穿通效应，触发NPNP晶闸管开启以实现逆导。在正向导通下，集电极侧部分超结横向扩散形成电势势垒层、集电极短路沟槽结构作为介质阻挡层，二者共同作用使得电子存储在P‑集电区/N‑柱结附近，直至该PN结导通，极大抑制了snapback现象。同时，本发明有效地利用了P‑集电区的面积，获得了导通压降的降低。本发明的有益效果为，在不明显影响器件其他性能的前提下，有效地抑制了snapback现象，且获得了低功率损耗。
📄 2018112730747
📂 H01L29_739
👤 广州工商学院
📅 2018-10-30
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二漂移区一侧，正向导通时为双极导电，内部发生电导调制效应，因此器件导通压降较低，而在反向导通时不参与导电。本发明的有益成果：正向导通时为双极型导电，具有反向导通能力。
📄 2019113104779
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2019-12-18
本发明公开了一种具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件，通过将P型半导体基区分割成多个区域，并且在不同区域引入两个或三个串联二极管，使得器件在反向耐压时，P型电场屏蔽区电位升高至两个或三个二极管的导通压降后，二极管导通，P型电场屏蔽区的电位被钳位在两个或三个二极管导通压降附近，所以N型载流子存储区的电位被P型电场屏蔽区很好地屏蔽在很低的值，器件的耐压将主要由P型电场屏蔽区和表面耐压区构成的反偏二极管承受，从而彻底打破了击穿电压和N型载流子层浓度之间的矛盾关系。
📄 2019103165776
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2019-04-19
本发明涉及功率半导体领域，提供一种具有超低导通压降的高速IGBT器件，用以克服现有具有载流子存储层的槽栅IGBT导通压降高、关断速度低、短路安全工作区小以及栅驱动损耗大的问题。本发明IGBT器件通过使用相同的工艺掺杂在硅片表面集成两个串联二极管用于钳位P型电场屏蔽层的电位，从而CSL层的掺杂浓度可以提高3‑4个数量级；CSL层重掺杂极大地提高了IGBT发射极的电子注入效率，从而在较低的沟道密度情况下，极大地提高了IGBT的导通压降和关断损耗的折中关系；同时，由于二极管的钳位作用，使得IGBT的nMOS沟道附近的漏极在高压大电流下被钳位在较低的电压，从而使得新型IGBT的饱和电流密度很大程度地降低，从而提高了IGBT的短路安全工作区。
📄 2019102934225
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2019-04-12
本发明属于功率半导体技术领域，提供一种具有二极管钳位载流子存储层的槽栅IGBT器件，用以解决传统结构存在的导通压降高、关断速度慢、短路安全工作区小以及栅驱动功耗大等问题。本发明通过在硅片表面集成串联的PN结二极管和p型肖特基二极管、或者串联的两个p型肖特基二极管用于钳位P型电场屏蔽区的电位，进而将CSL电位屏蔽，从而可以大幅度提高CSL的掺杂浓度；CSL层的重掺杂能够提高IGBT发射结的电子注入效率，极大地优化IGBT的导通压降和关断速度之间的折中关系；此外，由于MOS沟道的漏极电压，即CSL电位被屏蔽在一个很低的值，能够极大地降低IGBT的饱和电流密度，有利于增大短路安全工作区。
📄 202110417501X
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2021-04-19
超高速大电流纵向绝缘栅双极型晶体管，涉及功率半导体器件。本发明包括集电极、缓冲区、漂移区、欧姆接触重掺杂区、沟道区、发射区、绝缘介质层、主栅极，其特征在于，晶体管中部设置有电场加强单元，用于产生一个由集电极指向电场加强单元的电场，所述电场加强单元通过绝缘介质与晶体管其他部分隔离。本发明能够增大器件通态电流密度，也能加强漂移区内的电场调制效应，降低器件的漂移区电阻，降低通态压降；同时，该电场在器件要关断时还能够加速漂移区内过剩载流子的移除，大幅度缩短器件的关断时间，抑制拖尾电流现象。
📄 2019108704443
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2019-09-16
超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，涉及半导体功率器件。本发明包括硅衬底和设置于硅衬底和埋氧上方的漂移区、沟道区、欧姆接触重掺杂区、阴极、栅极介质、阳极引出线、栅极、阴极引出线、阳极，漂移区在阳极与沟道区之间的部分的上表面，设置有电场加强单元，所述电场加强单元用于产生一个从阳极指向电场加强单元下表面的电场；电场加强单元通过绝缘介质与漂移区隔离。本发明实现了LIGBT器件导通性能和开关性能的双重提高。
📄 201510998522X
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2015-12-28
消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流的方法，涉及半导体功率器件，本发明包括下述步骤：1)在漂移区中产生一个从阳极指向漂移区的上表面的电场，晶体管由导通转为关断；2)在设置于漂移区上方的第二栅极上引入一个快速上升的电平，持续至晶体管完全关断。本发明的有益效果是，能够降低导通损耗，消除横向绝缘栅双极型晶体管拖尾电流，提高晶体管关断的速度。
📄 2015109999256
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2015-12-28
本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种具备栅极自钳位功能的三维IGBT及其制造方法。本发明结构与常规IGBT相比，阴极金属通过第一P型阱区、第三P型阱区与第二P型阱区连接，且栅极金属与部分第二N型阱区上表面接触，从而在本发明结构中引入了寄生二极管结构，包括第二N型阱区与第二P型阱区构成的PN结，栅极金属与第二N型阱区上表面接触的部分作为寄生二极管的阴极，阴极金属与P型阱区接触的部分作为寄生二极管的阳极。本发明的结构避免了IGBT器件应用高频变换器时栅电压震荡导致器件误开启甚至击穿器件栅电容而使器件失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致的器件失效的问题。
📄 2021107097826
📂 H01L29_739
👤 电子科技大学
📅 2021-06-25
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