一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构，包括塑封层，以及封装固化于塑封层中露出功能面凸点的芯片；塑封层下有一层或多层介电层；介电层内有热压入的高密度嵌入再布线层；通过激光打孔贯穿嵌入的再布线层和介电层，电镀填充铜形成铜柱，实现介电层上面线路及下面线路电连接；高密度再布线层的外表面除了焊球的位置外均设置有介电层。本发明根据上述内容提出一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法，利用晶圆级制程设备制备再布线层，并进行线路转移，形成嵌入式再布线层，实现亚微米级的再布线线距，在相同芯片面积下可满足更多数量I/O连接。
📄 2019104465161
📂 H01L23_48
👤 广东工业大学
📅 2019-05-27
本发明公开了一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法，包括硅衬底、第一介质层、屏蔽外壳、第二介质层、碳纳米管束、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘和第四金属焊盘。本发明将碳纳米管作为传输通道，并在碳纳米管两端设置四个金属焊盘，组成两个信号传输通道，分别传输正信号和负信号，利用了碳纳米管的各向异性，即其纵向电导率比横向电导率大7个数量级，这种正信号和负信号的差分结构设计可有抑制共模噪声和电磁干扰，效提高高速信号的传输质量；同时，本发明屏蔽外壳可以抑制差模噪声干扰，减小了对其他硅通孔的电磁干扰，可提高三维集成电路的整体性能；本发明缩小了差分传输结构的尺寸，有效提高了芯片面积的利用率。
📄 2018111407293
📂 H01L23_48
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-09-28
本发明公开了一种实现3D封装芯片互连的记忆焊点，属于电子器件三维封装领域。使用市售的Sn粉、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂以及亚微米CuZnAl记忆合金颗粒，制备膏状含记忆合金颗粒锡膏，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(5MPa～10MPa)和温度(235℃～255℃)条件下实现芯片的垂直堆叠互连，形成记忆焊点。
📄 2015103353353
📂 H01L23_488
👤 福建紫金英菲迅应用材料有限公司
📅 2015-06-16
本实用新型公开了一种用于电子仪器仪表的硅管转接板，包括主体、硅通孔、ESD防护元件和布线层，所述主体的内部设置有布线层，主体的一侧设置有第二装配槽，第二装配槽内部两端的主体上皆均匀设置有硅通孔，且硅通孔的内部设置有填充铜柱，所述第二装配槽两端的主体上皆设置有第一装配槽，且第一装配槽两侧的主体上皆均匀设置有第三装配槽，并且主体上均匀固定有电子连接脚。本实用新型通过安装有主体、钛合金加固边和加强螺栓，使得装置优化了自身的结构，通过在主体上固定有钛合金加固边和加强螺栓，提升了装置整体的结构强度，使得装置不易破裂损坏，有利于延长装置的使用寿命。
📄 2020212079320
📂 H01L23_48
👤 武汉诗之远自动化设备有限公司
📅 2020-06-28
已申报项目
本实用新型属于场效应管技术领域，公开了一种新型大功率场效应管，包括机体，所述机体的底端等距离开设有三个滑槽，三个所述滑槽的内部均滑动连接有引脚，三个所述滑槽的内部均设置有限位组件，三个所述限位组件分别与三个引脚相互配合，三个所述滑槽内部的顶端均设置有第一导电片，三个所述第一导电片分别与三个引脚相互配合；本实用新型在机体上设置了滑槽和引脚，引脚可以在滑槽内伸缩，当机体的引脚过长时，只需要手动推动部分引脚至滑槽；引脚过短时，则手动拉动引脚，使部分引脚滑出滑槽即可，引脚滑动过程中，引脚始终与第一导电片接触；该装置操作简单方便，可适用于对引脚长度具有不同要求的电路板，提高了机体的适用范围。
📄 2021208494043
📂 H01L23_48
👤 深圳市亿新达科技有限公司
📅 2021-04-23
已申报项目
本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，提出了一种功率半导体器件的封装结构，包括：主体组件；设置在主体组件上下两面上的固定件；开设在固定件底部的收纳件；安装在收纳件内部的弹簧；设置在主体组件外侧的加固件；安装在加固件上的连接件。通过上述技术方案，解决了现有技术中，现有的封装结构中的连接引脚依靠与封装外壳的连接进行稳定，没有添加相应的固定结构，连接引脚可能会受到电流或电压的影响而产生焊接松动、接触不良等，从而影响器件的电性能问题。
📄 2023224499482
📂 H01L23_48
👤 江苏钰晶半导体科技有限公司
📅 2023-09-11
已申报项目
本实用新型公开了一种MOS芯片焊接定位结构，其包括：MOS芯片、铜夹、基板和定位块，所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹，所述MOS芯片设置在基板的正面，所述第一铜夹设置在MOS芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸，所述第二铜夹设置在MOS芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸，所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位。本实用新型所述的MOS芯片焊接定位结构，通过定位块进行铜夹在基板上的定位，避免铜夹在高温焊接过程中的偏移，提升了铜夹在MOS芯片封装注塑过程中的稳定性。
📄 2023217173286
📂 H01L23_488
👤 德兴市意发功率半导体有限公司
📅 2023-07-03
已申报项目
本实用新型公开一种IGBT侧框L型端子，包括装配定位孔和L型PIN针，所述装配定位孔的上端插接有L型PIN针，所述L型PIN针的上端后侧设置有模具体，所述L型PIN针的前下方位于装配定位孔的前上端右侧设置有模具定位孔，且L型PIN针插入模具定位孔中与装配定位孔连接固定，本实用新型IGBT侧框L1型端子，将L1型PIN针安装在模具体上，将PIN板板体上的两个插接针体插入模具体的两个模具定位孔中，使PIN板板体安装在模具体上端，两个连接孔与装配定位孔处于同一垂直中心线，有益效果是装配好后，通过产品冲压，电镀产能提高，且进行冲压及电镀时，相对节约材料，节省成本，而且注塑成型时，节约了装配时间，使工时缩短，端子成型后更稳定。
📄 2020219634743
📂 H01L23_48
👤 苏州三湘利电子科技有限公司
📅 2020-09-10
本实用新型公开了一种高敏半导体芯片封装引脚，包括第一引脚与第二引脚，第一引脚的一端设有承接器，第二引脚的一端设有插接器，承接器与插接器为大小相同的圆形金属片，承接器与插接器上均设有沉孔，沉孔内设有芯体，承接器设有锁孔，插接器设有锁件，锁件插入锁孔内，有益效果为：本方案的封装引脚结构能够极大程度的改变传统的引脚结构，将两支引脚放入固定模具上，通过机器将高敏半导体芯片放入引脚的冲压端，承接器与插接器配合将芯片芯体固定好，进行热熔固定时，由于引脚的结构设计，将位置偏移的问题降到最低，实现了对半导体加工质量的提升，切实的解决了现实问题，适宜推广使用。
📄 2021216483074
📂 H01L23_488
👤 泗阳县铭鑫电子股份有限公司
📅 2021-07-20
本公开涉及晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置。提供有一种晶片堆叠结构，包括：第一晶片，包括：具有金属垫盘结构的第一衬底和第一绝缘层及其中的导电层，第一绝缘层具有露出第一晶片中的导电层的部分的一个或多个开口；第二晶片，包括：第二衬底，第二绝缘层及其中的导电层以及包括与第二晶片中的导电层电连接的一个或多个导电凸块的接合部，导电凸块被配置为与露出的第一晶片中的导电层的部分键合；第三晶片，通过接合层与第一晶片接合，包括：第三衬底和第三绝缘层及其中的导电层；以及穿透第三晶片和接合层直至金属垫盘的TSV，该TSV穿透第三晶片中的导电层并与之电连接，从而提供金属垫盘和第三晶片中的导电层之间的电连接。
📄 2018100860932
📂 H01L23_488
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2018-01-30
本发明公开了一种芯片堆叠结构及其制作方法。包括：至少两个堆叠体，所述堆叠体层叠设置，其中，所述堆叠体包括第一芯片层、第二芯片层和第一电路重构层；所述第一芯片层的第一焊盘和所述第二芯片层的第二焊盘均设置在靠近所述第一电路重构层的一侧；所述第一电路重构层包括至少一个第一连接结构和至少一个第二连接结构；所述第一焊盘通过所述第一连接结构与所述第二焊盘电连接；所述第二连接结构与所述第一焊盘和/或所述第二焊盘电连接；其中，在所述第一电路重构层的至少一侧的表面上露出部分所述第二连接结构，用于与外界进行电连接。本发明提供的技术方案，减少芯片间的外部侧边互连的连接数量，降低布线难度，节约了芯片的面积。
📄 2022115250536
📂 H01L23_48
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2022-11-30
本实用新型属于三极管技术领域，公开了一种用于防止引脚损坏的三极管，包括三极管主体，所述三极管主体的底部安装有第一引脚、第二引脚和第三引脚，且第二引脚位于第一引脚和第三引脚之间，所述三极管主体的下方设置有边缘弧板，且边缘弧板的背壁安装有背板，所述边缘弧板的底壁开设有槽口，所述边缘弧板内壁的两端均安装有滑块，本实用新型设置了边缘弧板，且边缘弧板的底壁共开设了三个槽口，边缘弧板的背壁安装了背板，使用时，将边缘弧板安装在三极管主体的下方，使得第一引脚、第二引脚和第三引脚位于槽口中，借助边缘弧板和背板形成的保护结构来保护三极管的引脚，从而避免在投入使用前引脚损坏的情况。
📄 2022204739991
📂 H01L23_48
👤 深圳市圳汉欣电子有限公司
📅 2022-03-04
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