发明专利已授权

一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管

Name: 一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2016103352660
Availability: InStock

📄 申请号：CN201610335266.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-05-19

公开号

CN105845718B

公开日

2019-11-05

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_417

IPC 分类号

H01L29_417 , H01L29_423 , H01L29_739 ,

技术画像

所属领域

绝缘栅双极型晶体管半导体功率器件宽禁带半导体技术沟槽栅功率器件绝缘栅双极型晶体管

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 智能电网, 轨道交通牵引, 工业变频驱动

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。本发明减小了4H‑SiC沟槽IGBT的栅氧底部拐角的电场强度，达到降低器件的正向导通压降以减小器件损耗的目的。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN105845718B

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于视频监控的车辆跟踪与分割方法

当前第 / 件

一种基于外部中断的振动信号调理电路

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_417)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_72 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：51 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)