发明专利已授权

一种梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元

Name: 一种梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2014100053776
Availability: InStock

📄 申请号：CN201410005377.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-01-02

公开号

CN103762241A

公开日

2014-04-30

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_78

IPC 分类号

H01L29_78 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件绝缘体上硅（SOI）技术 LDMOS器件结构

应用场景

电源管理, 射频通信, 电力电子, 汽车电子, 工业自动化

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摘要

本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI？LDMOS单元。常规SOI？LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI？LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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