本实用新型涉及引线支架技术领域，尤其为一种三极管引线支架，包括外部支撑框架，所述外部支撑框架的内壁横向安装有均匀分布的横向支撑板，所述外部支撑框架的内壁纵向安装有均匀分布的纵向支撑板，所述外部支撑框架的内部并且位于横向支撑板和纵向支撑板之间设置有引线安装腔，所述引线安装腔的内壁安装有引线组件，所述引线组件包括三极管定位块、第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述三极管定位块的一侧安装有第一引脚，所述第一引脚的端部并且与引线安装腔的内壁之间设置有引线连接段，所述引线连接段的中间处开设有易折缺口，所述第一引脚的另一端安装有引脚限位块，整体结构简单，便于使用，且稳定性和实用性较高。
📄 2021224099692
📂 H01L23_495
👤 桐庐瑶琳电子科技有限公司
📅 2021-09-30
已申报项目
本发明公开了一种用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法，所述封装结构包括封装外壳，其中包括高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板，低压增强型晶体管的源极、高压耗尽型晶体管的栅极和电压调整电路的下端被连接在一起并且被电连接到整个封装结构的源极引线，低压增强型晶体管的栅极电连接到整个封装结构的栅极引线，高压耗尽型晶体管的漏极电连接到整个封装结构的漏极引线，高压耗尽型晶体管的源极电连接到低压增强型晶体管的漏极和电压调整电路的上端。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化。
📄 201910789929X
📂 H01L23_49
👤 珠海镓旦科技有限公司
📅 2019-08-26
本发明涉及一种嵌入式高散热扇出型封装结构，包括均带有凸点的芯片、开有凹槽的石墨烯载板、塑封层、固定层、阻焊层、再布线层、介电层以及焊球；所述介电层覆盖在所述石墨烯载板上，所述再布线层覆盖在所述介电层上，所述芯片的背面通过所述固定层粘结在所述石墨烯载板的凹槽内，所述芯片与所述再布线层通过引线键合，所述塑封层包裹在所述芯片上，所述焊球连接在所述再布线层的上方，所述阻焊层设置在所述再布线层的上方。本发明的嵌入式高散热扇出型封装结构为芯片的扇出型封装提供了稳定的支撑，而且大大提高了封装结构的散热效果。
📄 2020101480088
📂 H01L23_498
👤 广东佛智芯微电子有限公司
📅 2020-03-05
本发明涉及一种高散热扇出型封装结构，包括带有凸点的芯片、石墨烯载板、介电层、再布线层、塑封层、散热模块以及焊球；所述石墨烯载板的上下两侧均设置有所述再布线层，所述介电层设置在所述石墨烯载板与所述再布线层之间，所述石墨烯载板上贯穿有铜柱，所述再布线层之间通过所述铜柱进行连接，所述芯片设置在所述石墨烯载板的上方，位于所述石墨烯载板上方的再布线层与所述芯片的凸点连接，位于所述石墨烯载板下方的再布线层与所述焊球连接，所述塑封层包裹在所述芯片的外侧，所述散热模块设置在所述塑封层上。本发明的高散热扇出型封装结构为芯片扇出封装结构的高密度互连提供了平台，同时大幅提高芯片封装结构的散热能力。
📄 202010148685X
📂 H01L23_498
👤 广东佛智芯微电子有限公司
📅 2020-03-05
本申请涉及一种纳米银芯片封装结构，其包括基板，所述基板的顶部固定粘接有上框架层，且上框架层的中心处还开设有放置槽，所述放置槽内安装有电路芯片，放置槽中蓄存有纳米银浆液，围绕所述放置槽的四周边缘处还焊接有挡边，所述基板上还安装有两个支撑架，两个支撑架关于上框架层中心点对称，两个支撑架上均滑动套设有滑套，两个滑套之间还连接有压杆，本申请中，电路芯片安装在上框架层内的放置槽中，放置槽能够更好的承载纳米银浆液，确保纳米银浆液能够与电路芯片底部充分接触，保证电性连接，同时放置槽四周边缘处还设置有挡边，能够有效对电路芯片进行限位。
📄 2023233713470
📂 H01L23_495
👤 合肥兆信新材料科技有限公司
📅 2023-12-12
本发明提供了一种功率器件封装结构及其制造方法。功率器件封装结构包括第一电连接件，该第一电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，焊接部包括第一凹槽，第一凹槽为方形结构且具有一底壁；焊接部还包括一位于底壁下方的第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽至少通过底壁边缘的贯通结构连通；第二凹槽内设置有第一焊料，第一电连接件通过第一焊料电连接于第二电极。在使用时，在第一凹槽内容置焊料片，并在热压状态下使得焊料片熔化为焊料进入第二凹槽内，实现第一电连接件与芯片的上部电极的直接电连接件。
📄 2022105668729
📂 H01L23_495
👤 山东中清智能科技股份有限公司
📅 2022-05-23
本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。
📄 2025101736171
📂 H01L23_498
👤 华侨大学
📅 2025-02-18
本实用新型提供一种光耦引线框架，涉及半导体领域。该光耦引线框架，包括板体，所述板体的左右两侧均设置有引脚，所述板体的上表面搭接有防尘罩，所述防尘罩的底部开设有伸缩槽，所述伸缩槽的内顶壁固定连接有弹簧，所述弹簧的底端与板体的上表面固定连接，所述防尘罩的内顶壁固定连接有固定块，所述固定块的正面固定连接有固定轴。该光耦引线框架，通过弹簧、伸缩槽和防尘罩的相互配合，达到将灰尘进行阻挡，使得芯片和各类电子部件可以在相对洁净的环境工作，解决了现有的光耦引线框架在芯片和各类电子部件安装后，容易因长时间使用，灰尘会覆盖在芯片和各类电子部件表面，从而会影响芯片和各类电子部件正常工作的问题。
📄 2022217318539
📂 H01L23_495
👤 深圳市汇芯微电子有限公司
📅 2022-07-07
已申报项目
一种半导体器件，具有在第一水平方向上呈波浪形延伸的管芯焊盘，其包括位于第一平面的多个第一带，位于第二平面且与所述第一带在第一水平方向上交错安排的多个第二带，以及连结第一带与相邻的第二带的多个过渡带。所述半导体器件还具有多个第一引线指，其近端处于第一平面中，以及多个第二引线指，其与第一引线指在第一水平方向上交错安排，其中所述第二引线指的近端处于第二平面中。所述第一和第二引线指分别位于所述多个第一或第二带的延伸线上。第一引线指的远端从用于包封附接于所述管芯焊盘的第一带上的半导体管芯的包封材料向外凸出，第二引线指的底面和所述管芯焊盘的第二带的底面从所述包封材料露出。
📄 201810016866X
📂 H01L23_495
👤 陈萌奇
📅 2018-01-09
本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种高速电子开关半导体器件，包括半导体，所述半导体的外壁开设有滑槽一，所述滑槽一的外壁固定连接有直角板，还包括：连接机构，所述连接机构包括活动连接在滑槽一内壁的连接板，所述连接板顶部的内壁固定连接有嵌入板，所述嵌入板的外壁与直角板活动连接，所述嵌入板的内壁固定连接有锡料板一，通过设置连接机构，将焊料预置于连接界面内部，在焊接过程中无需额外补充外部焊料，这种结构使得焊锡能够均匀分布于外壳与电路板之间的连接界面，有效增强了连接部位的机械强度和电气导通性能，降低了传统焊接方式中常见的虚焊、假焊等质量缺陷，从而提升了设备的连接可靠性和长期运行稳定性。
📄 2025106836496
📂 H01L23_498
👤 中山市淳煌科技有限公司
📅 2025-05-26
本实用新型揭示了一种IGBT模块侧框的L型端子，固定于侧框(11)内，所述L型端子(1)包括弯折部(2)以及与所述弯折部(2)一端连接的定位部(3)，所述定位部(3)与所述弯折部(2)连接处设有折断槽(4)，所述折断槽(4)截面形状为矩形。所述定位部(3)上开设有定位孔(5)。所述弯折部(2)另一端延伸有插接部(6)。本实用新型的IGBT模块侧框的L型端子既节约材料，同时又能方便去除多余材料。
📄 2018212197902
📂 H01L23_49
👤 苏州三湘利电子科技有限公司
📅 2018-07-31
本实用新型揭示了一种IGBT模块侧框的局部镀镍L型端子，其包括焊接部(2a)，所述焊接部(2a)上镀有金属镍。其还包括弯折部(2)以及与所述弯折部(2)两端延伸连接的定位部(3)和插接部(6)。所述弯折部(2)包括所述焊接部(2a)。所述定位部(3)与所述弯折部(2)连接处设有折断槽(4)。所述定位部(3)上开设有定位孔(5)。本实用新型的IGBT模块侧框的局部镀镍L型端子有效提高焊接技术，保证焊接效率。
📄 201821219789X
📂 H01L23_49
👤 苏州三湘利电子科技有限公司
📅 2018-07-31
柿子坊 · 知识产权运营
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