发明专利已授权

一种用于优化VDMOS加工工艺的方法

📄 申请号：CN202110596980.6 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2021-05-31

公开号

CN113363156B

公开日

2022-05-24

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_336

IPC 分类号

H01L21_336

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件半导体制造工艺功率电子器件

应用场景

电源管理, 电力电子, 汽车电子, 工业控制, 消费电子

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种用于优化VDMOS加工工艺的方法，该方法的最小光刻层数为4层，分别是有源区光刻、多晶硅光刻、接触孔光刻、金属层光刻；本发明利用多晶硅光刻同时定义栅极、场板图形、P‑body、N+注入图形，其中body注入图形包括结终端保护环结构。即利用多晶硅光刻同时进行有源区和结终端保护环的P注入形成P‑body，再进行N+注入，实现栅极、场板、P‑body、N+图形的定义；利用接触孔光刻先刻蚀一部分N+区形成N‑source，最后进行P+注入形成P‑body区的欧姆接触，实现N‑source、P‑body区欧姆接触图形的定义。本发明对现有VDMOS版图设计及加工工艺进行改进，将现有的六道光刻版VDMOS工艺降低为四道版，并保证了器件性能无明显退化，由此节省了两层光刻工艺，从而缩短工艺流程、降低工艺成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220524

✅ 授权

20210924

?? 实质审查的生效：

20210907

📄 公开

一种具有异质结的超结逆导型IGBT

当前第 / 件

一种具有混合导电模式的LIGBT

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_336)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：165 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种用于优化VDMOS加工工艺的方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_336)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法

硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法

一种基于光热敏折变玻璃的波导光栅耦合器及其制备方法

服务项目

资源中心

关于柿子坊