发明专利已授权

晶圆退火处理设备及退火处理方法

📄 申请号：CN201710890662.4 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2017-09-27

公开号

CN107742612A

公开日

2018-02-27

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67

技术画像

所属领域

半导体热处理设备半导体热处理设备晶圆制造工艺快速热退火技术

应用场景

晶圆制造, 集成电路制造, 半导体器件加工, 芯片前道工艺

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摘要

本发明提供一种晶圆退火处理设备及退火方法，设备包括晶圆存放装置，用于存放待处理晶圆；预热装置，接收晶圆存放装置中的待处理晶圆并将其加热至第一温度；退火腔室，用于接收预热装置中的具有第一温度的待处理晶圆，并将其加热至退火温度以对待处理晶圆进行退火处理；降温装置，用于接收退火腔室中的具有退火温度的待处理晶圆，并将其降温至第二温度，以完成退火处理。通过上述方案，本发明提供的晶圆退火处理设备及方法，设置一个预热装置，缩短在退火腔室中加热的时间，大幅度提高产出；避免在退火腔室中加热时温差相对较大，导致加热灯泡的使用寿命短，更换以及维修频率较高的问题；可以提高晶圆受热均匀性，缓解晶圆处理过程中变形的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺

当前第 / 件

晶圆键合中的退火装置及退火方法

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议价

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