发明专利已授权

沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺

Name: 沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺
Brand: 淮安西德工业设计有限公司
SKU: 2018114792926
Availability: InStock

📄 申请号：CN201811479292.6 📄 发布日：2026/05/09

著录项目信息

申请日

2018-12-05

公开号

CN109326553B

公开日

2021-01-22

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_762

IPC 分类号

H01L21_762 , C23C16_455 , C23C16_40 ,

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺化学气相沉积集成电路制造

应用场景

集成电路制造, 半导体器件, 芯片制造, 晶圆加工

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摘要

本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器及其像素组和像素阵列，获取图像信息的方法

当前第 / 件

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