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| 专利/申请号： | CN201811479292.6 | 专利名称： | 沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺 |
| 申请日： | 2018-12-05 | 申请/专利权人 | 德淮半导体有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/762 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-01-22 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN109326553B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 5 | 所属领域： | 专利转让搜索 |
摘 要：本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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