发明专利已授权

半导体装置及其制造方法

📄 申请号：CN201810543233.4 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2018-05-31

公开号

CN108766893A

公开日

2018-11-06

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_48

IPC 分类号

H01L21_48 , H01L23_498 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件半导体制造工艺

应用场景

集成电路, 芯片制造, 消费电子, 通信设备, 汽车电子

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摘要

本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括：提供第一晶片，包括：第一电连接件和第二电连接件、第一电介质层和第二电介质层、第二电介质层中的第一开口以及至少覆盖第二电介质层并填充第一开口的第三电介质层；将第二晶片接合到第一晶片；形成第一硅通孔TSV和第二TSV，第一TSV与第一电连接件的至少一部分重叠，穿过第二晶片和第三电介质层，并暴露出第二电介质层的一部分的表面，第二TSV与第一开口的至少一部分重叠，穿过第二晶片、第三电介质层及其下方的由第一开口暴露的第一电介质层，并暴露出第二电连接件的至少一部分的表面；形成分别填充第一TSV和第二TSV的第一导电插塞和第二导电插塞。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

透明石英玻璃板及其制作方法，化学气相沉积工艺

当前第 / 件

半导体装置及其制造方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_48)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：172 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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