发明专利已授权

金属互连结构及其形成方法

📄 申请号：CN201810022867.5 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2018-01-10

公开号

CN108198783A

公开日

2018-06-22

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_768

IPC 分类号

H01L21_768 , H01L23_538 ,

技术画像

所属领域

半导体集成电路制造半导体集成电路制造金属互连工艺半导体器件结构

应用场景

集成电路制造, 芯片封装, 半导体器件

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摘要

本发明技术方案公开了一种金属互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底层，所述基底层中含有器件结构；在所述基底层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层内形成贯穿其厚度的接触孔，所述接触孔底部暴露所述器件结构；在所述第一绝缘层表面及接触孔内形成导电层，当接触孔内所述导电层中的缝隙开口宽度为接触孔宽度的十分之一～八分之一时，停止形成所述导电层工艺；在所述导电层表面及所述缝隙内形成第二绝缘层；采用抛光液抛光所述第二绝缘层及所述导电层至露出所述第一绝缘层，形成导电插塞，其中所述抛光液抛光所述第二绝缘层的速率小于抛光所述导电层的速率。上述方法形成的金属互连结构有效减少碟型缺陷，保证金属互连的性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器及其形成方法

当前第 / 件

背照式图像传感器的形成方法

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