发明专利已授权

背照式图像传感器的形成方法

📄 申请号：CN201810965371.1 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2018-08-23

公开号

CN109192741A

公开日

2019-01-11

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

图像传感器图像传感器半导体工艺光电器件

应用场景

消费电子, 安防监控, 汽车视觉, 医疗影像, 工业检测

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摘要

一种背照式图像传感器的形成方法，包括：半导体衬底包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；刻蚀第一侧的半导体衬底，在第一侧的半导体衬底中形成若干沟槽；在沟槽中形成含硼的硅玻璃层，含硼的硅玻璃层的表面低于第一侧的半导体衬底表面；进行退火工艺，使含硼的硅玻璃层中的硼离子扩散到相邻沟槽之间的半导体衬底中形成掺杂停止层；在沟槽中填充隔离材料，形成深沟槽隔离结构；在第一侧的半导体衬底上形成图像传感器的像素，所述像素感测从第二侧入射的光线；以掺杂停止层和含硼的硅玻璃层作为停止层，从半导体衬底的第二侧减薄半导体衬底；湿法刻蚀去除所述掺杂停止层和含硼的硅玻璃层。本发明方法工艺简单。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

金属互连结构及其形成方法

当前第 / 件

图像传感器、其制作方法和操作方法以及成像装置

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_146)

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