发明专利已授权

一种金刚石热沉衬底GaNHEMTs制备方法

📄 申请号：CN201611084413.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-11-30

公开号

CN106504988B

公开日

2019-09-10

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_335

IPC 分类号

H01L21_335 , H01L21_683 , H01L29_778 , H01L23_373 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率器件热管理技术

应用场景

5G通信, 射频功率放大器, 雷达系统, 电力电子, 航空航天

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摘要

本发明公开了一种金刚石热沉衬底GaN基HEMTs制备方法，包括在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基HEMTs外延结构；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；再刻蚀、抛光GaN底表面外延层，同时抛光金刚石热沉片；再在GaN底表面和金刚石热沉片抛光淀积薄层键合粘合剂，进行低温键合、固化得到金刚石/GaN基HEMTs外延材料/Si三层结构；再去除金刚石/GaN基HEMTs外延材料/Si三层结构中Si晶片的临时支撑材料，得到金刚石/GaN基HEMTs外延材料两层结构；再ICP刻蚀GaN基HEMTs外延材料，进行器件隔离；最后制备器件电极。本发明采用高热导率的金刚石做热沉，散热效果优；低温键合方法有效避免了传统的高温键合对材料性能的损伤；蓝宝石衬底激光剥离有效避免了激光剥离对GaN基HEMTs外延材料性能的影响。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

20190910

✅ 授权

20170412

?? 实质审查的生效：

20170315

📄 公开

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