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本发明公开了一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管,P型埋层位于缓冲层中，所述第二势垒层和第二沟道层相接触形成二维电子气并与漏极相连，所述漏场板位于钝化层上并向栅极延伸，栅场板位于钝化层上并向漏极延伸。本发明提工作于关态高压时，第二势垒层与第二沟道层形成二维电子气与漏极相连，在栅漏之间引入了新的峰值电场，降低了漏极场板的的峰值电场，P型埋层的加入可以降低栅极场板处的峰值电场使栅漏之间的电场分布更加均匀，进一步的改善了栅漏之间的电场分布，并且P型埋层还降低了器件的泄漏电流，最终使该结构器件相对于传统的场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。

本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

本申请提供一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、沟道层，沟道层为凸台型，凸台的顶部和下部平面上设有势垒层，凸台的外侧和势垒层的上部设有栅介质层，凸台顶部的栅介质层和凸台外侧的栅介质层的外侧设有栅电极，凸台下部平面两侧设有源漏电极与势垒层相连；本实用新型利用沟道层材料体系的非极性面实现2DEG沟道的阻断，实现了常关型操作，且器件阈值电压具有较好的重复性和均匀性；采用半绝缘GaN作为沟道层，当HEMT处于关断状态时，漏电流极小且可承受较大的电压而不击穿；本实用新型可操作性强，成本低，工艺简单可靠，适于工业上的推广使用。

本发明属于电子技术领域，公开了一种高速晶体管及其制造方法，高速晶体管包括衬底层；设置在衬底层上表面的沟道层；设置在沟道层上表面的第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在第一非掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层；设置在高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层上表面的电压调制层；间隔设置在电压调制层上表面的源电极和漏电极；及设置在电压调制层上表面，且位于源电极和漏电极之间区域的栅电极；由于通过超宽禁带半导体材料体系制备新型高速大功率晶体管，并通过高掺杂(AlxGa1‑x)2O3层调制形成异质结二维电子气，有效提高了器件的频率和功率性能，同时提高了器件材料自身击穿电压，从而降低对器件封装的要求，增加了产品的市场竞争力。

本发明属于电子技术领域，公开了一种高性能晶体管及其制造方法，包括多晶衬底层、键合层、第一非掺杂GaN层、AlGaN层、源电极、漏电极以及栅电极；其中，键合层设置在多晶衬底层第一表面；第一非掺杂GaN层设置在键合层第一表面；AlGaN层设置在非掺杂GaN层第一表面；源电极和漏电极间隔设置在AlGaN层第一表面；栅极设置在AlGaN层第一表面的源电极和漏电极之间区域；由于通过键合和衬底移除技术将AlGaN/GaN器件转移到高导热多晶衬底材料上，有效提高了器件在高频应用时散热性能，从而提高器件及其应用的系统的可靠性；增加了产品的市场竞争力。

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是在器件的缓冲层中引入了与源极相连的具有P型掺杂的电荷存储层。在器件关断时，P型掺杂的电荷存储层中的净负电荷可以有效地加速二维电子气的耗尽，从而减小了关断时间以使器件具有较低的关断损耗。在器件开启时，P型掺杂的电荷存储层中净负电荷量的减小有助于二维电子气的恢复，进而减小了开启时间来使器件具有较低的开启损耗。因此，本发明具有极低的开关损耗，可用于低功耗功率开关应用中。

本发明提供了一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括：衬底、成核层、非掺杂GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上分别引出的源极、栅极和漏极；与此同时，在栅极下方的GaN沟道层中设置一个正离子注入区。一方面，当栅极下方的GaN沟道层注入正离子之后，相当于在能带上增加了势垒高度，拉升了势阱，从而实现了沟道内二维电子气(2DEG)的耗尽，成为增强型器件；另一方面，正离子注入可以有效降低AlGaN势垒层的表面损伤和缺陷，减少表面态和缺陷，有效抑制电流崩塌，从而提高器件的输出电流，最终改善器件的输出功率和可靠性。

本实用新型公开了一种耦合板HEMT器件，在基底层上设置包括栅极、第一钝化层、第二钝化层和感应金属板的耦合板，其中T型栅通过高介电常数的第二钝化层对感应金属板的耦合效应实现了类似于场板的作用，降低了栅极靠近漏极侧的电场峰值，有效提升了HEMT器件的击穿电压，同时避免了大面积场板带来的寄生电容效应，实现了兼顾高耐压与高频率的HEMT器件。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。