发明专利已授权

用氮和硼改善4HSiCMOSFET反型层迁移率的方法

📄 申请号：CN201711135993.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-09-28

公开号

CN107818915B

公开日

2020-02-21

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_04

IPC 分类号

H01L21_04 , H01L29_78 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件碳化硅功率器件 MOSFET制造工艺

应用场景

功率电子, 新能源汽车, 电力电子变换器

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摘要

本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种加热熔融聚合物成丝装置

当前第 / 件

窄干扰脉冲过滤方法

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