发明专利已授权

一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法

📄 申请号：CN201910557744.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-06-25

公开号

CN110335819B

公开日

2021-04-30

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_34

IPC 分类号

H01L21_34 , H01L29_66 , C23C14_08 , C23C14_24 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料过渡金属硫族化合物能谷极化调控

应用场景

谷电子器件, 自旋电子器件, 光电器件, 量子信息处理

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摘要

本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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