本发明公开了一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用，属于环境污染物检测技术领域。本发明首先制备PMMA‑MoS2薄膜，然后将其转移至氮化硅表面。通过氦离子束刻蚀技术和扫描电子显微镜技术结合在二硫化钼薄膜上形成纳米孔。此传感器可用于高效检测环境中的铜(Cu)‑硫氰酸盐复合物，具备高灵敏度、快速响应和良好的选择性的特点，适用于环境监测和污染物检测等领域。
📄 202510140177X
📂 G01N27_26
👤 广东工业大学
📅 2025-02-08
本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法，包括以下步骤：步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效，绿色环保，在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。
📄 2022100503058
📂 H10F77_30
👤 青岛科技大学
📅 2022-01-17
本发明提供一种层状范德华超结构碘化铋，所述层状范德华超结构碘化铋中包括两种基本层状结构单元；所述两种基本层状结构单元为：三碘化铋(BiI3)的I‑Bi‑I三原子层和一碘化铋(BiI)的I‑Bi‑Bi‑I四原子层；所述两种基本结构单元通过层状堆叠形成非周期性超结构，层与层之间的结合力为范德华力；同时提供层状范德华超结构碘化铋制作方法，以及由层状范德华超结构碘化铋，通过机械剥离法得到的二维一碘化铋；本发明的有益效果为：提供了一种层状范德华超结构碘化铋的新材料，通过对其机械剥离得到二维一碘化铋新材料，具有0.7eV的低带隙宽度，可作为构建二维光电器件的结构单元。
📄 2022116741605
📂 C01G29_00
👤 龙岩学院
📅 2022-12-26
本发明公开了一种具有磺酸基官能团的MXene材料的制备方法，其过程为：MAX相材料先经氢氟酸蚀刻后，得到具备手风琴结构的二维层状MXene材料；二维层状MXene材料再经具有磺酸基阴离子的离子液体进行改性，使其手风琴结构进一步被剥离形成少层结构，且离子液体的阴离子基团迁移结合到二维层状MXene材料表面，即得具有磺酸基基团的改性MXene材料。使用本发明制备的带有磺酸基阴离子的Pd/V2C催化剂催化苯乙炔加氢反应时具有很高的催化活性和催化剂稳定性，催化剂在循环使用6次时依然具有很高的催化活性。本发明的具有磺酸基团的MXene材料的制备方法，具有方法简单、反应安全、磺酸基团稳定性好等优点。
📄 2021102778474
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2021-03-15
本发明提供了一种超薄异质界面Ti3C2Tx/LDH复合电催化剂材料，由二维超薄Ti3C2Tx和LDH形成的异质界面，可以加快界面处电荷的转移。其特征表现为复合材料是面与面之间通过金属氧键桥联形成异质界面；设定M为所述超薄Ti3C2Tx，所述双金属氢氧化物为LDH，所述含超薄异质界面Ti3C2Tx/LDH复合的结构为M‑LDH。本发明将具有OER性能的LDH，与良好导电性的Ti3C2Tx复合，提高了复合材料的催化位点活性，从而增强了电催化析氧性能，且本发明方法简单易行、成本低，可以批量生产。
📄 2022100494218
📂 C25B11_091
👤 浙江工业大学
📅 2022-01-17
本发明公开一种MXene微胶囊的制备方法，通过使用表面活性剂辅助水热方法合成了MXene空心花状微胶囊。该方法利用阳离子表面活性剂与长链中性聚合物在水热过程中促进纳米片的聚合，提高了MXene的稳定性并促进了微胶囊中丰富的内部空腔的产生形成。该微胶囊可以大幅度提升MXene的比表面积，充分利用其优势。所制备的微胶囊可以阻止大分子物质的进入，缓慢释放小尺寸的分子。本发明工艺简单，流程易操控，为MXene的综合利用提供了新途径。
📄 2023107042269
📂 B01J13_02
👤 浙江工业大学
📅 2023-06-14
本发明涉及一种二维白磷薄膜的制备方法、应用及装置。二维白磷薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用硅片制备硅衬底；在真空条件下，给镉源除气，然后加热使镉原子蒸发至硅衬底表面，镉原子外延生长，获得镉衬底；在真空条件下，给黑磷除气，然后加热至第一温度以获得P4分子束流，再将其蒸发至第二温度的镉衬底表面，获得由P4分子二聚体平行排列构成的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜。本发明还提供一种所述制备方法制得的单层二维白磷薄膜的应用，所述二维白磷薄膜作为纳米墨水的应用。本发明还提供一种用于制备如本发明所述的二维白磷薄膜的装置。本发明制备了一种具有特定结构和性能的二维白磷薄膜。
📄 2024109153754
📂 C01B25_027
👤 西南大学
📅 2024-07-09
本发明涉及一种二维面面SnS2-MoS2复合物的制备方法。本发明方法将SnCl4、乙二胺、硫脲，水混合成前驱液，置于水热反应釜中进行水热反应，得到二维纳米片状SnS2；将二维纳米片状SnS2，H8MoN2O4、硫代乙酰胺、十二烷基苯磺酸钠和水混合成前驱液，置于水热反应釜中进行二次水热反应得到二维面面SnS2-MoS2复合物。本发明方法工艺简单、易于控制、生产效率高。
📄 2018109063663
📂 B01J27_051
👤 杭州电子科技大学
📅 2018-08-10
本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。
📄 2019105577446
📂 H01L21_34
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-06-25
本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
📄 2019111242774
📂 H01L21_34
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-11-15
本发明提供一种掺锡二维硫化钼及其制备方法、应用，该制备方法简单易行、可控，按本发明提供的技术方案解决了一种锡掺杂二维硫化钼材料的制备问题，包括安全廉价的制备设备及反应原料获得，简易可行的全程无污染的工艺流程，所获得的材料厚度小于10nm，并且保留了母相的晶体结构，无第二相或合金化，掺杂后二维硫化钼材料光电性能的显著提升，为纳米电子器件和光电功能器件的潜在应用提供了材料基础，符合未来工业化生产需要。
📄 2021103652810
📂 C30B29_46
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-02
本发明公开了本发明公开一种钒基MXene原位衍生硫化物的方法，具体包括如下步骤：S1：将钒基MAX利用氟化钠和浓盐酸在85‑95℃条件下刻蚀70‑74h，用去离子水离心洗涤，直至PH为5.8‑6.2，冷冻干燥，得到钒基MXene；S2：取S1中获得的钒基MXene，放入研钵中，与过量升华硫研磨后充分混合，将混合物倒入瓷舟中；S3：将S2中的瓷舟放入管式炉中氩气氛围中焙烧制备钒硫化物‑MXene材料；S4：将S3制备的钒硫化物‑MXene材料和碳纳米管按照8：2的比例混合，并置于盛有DMF溶液容器内超声搅拌混合；S5：将S4中搅拌后的溶液，真空抽滤及干燥后制备得到钒硫化物‑MXene‑碳纳米管复合薄膜，制备方法在MXene表面原位衍生钒硫化物只需要3‑6小时，极大缩短了时间，并且这种方法相对于水热法来说没有产生废液，材料利用率极高。
📄 2021104937367
📂 C01G31_00
👤 青岛科技大学
📅 2021-05-07
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