发明专利 已授权

一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法

📄 申请号:CN201911124277.4 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-11-15
公开号
CN111312593B
公开日
2023-08-22
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光电探测, 发光器件, 量子信息处理, 谷电子器件, 二维材料光电器件

摘要

本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法,包括如下步骤:(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物;(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C;(3)通过对准转移平台,将二维铁磁金属,对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上,通过对准转移时的角度控制,制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物-二维铁磁金属异质结构,以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C-二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式,实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:61 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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