发明专利 已授权

一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用

📄 申请号:CN202510140177.X 📄 发布日:2026/09/23

著录项目信息

申请日
2025-02-08
公开号
CN119954205B
公开日
2025-10-14
申请人
广东工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

基因测序, 单分子检测, 生物传感器, 分子诊断, 半导体器件

摘要

本发明公开了一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用,属于环境污染物检测技术领域。本发明首先制备PMMA‑MoS2薄膜,然后将其转移至氮化硅表面。通过氦离子束刻蚀技术和扫描电子显微镜技术结合在二硫化钼薄膜上形成纳米孔。此传感器可用于高效检测环境中的铜(Cu)‑硫氰酸盐复合物,具备高灵敏度、快速响应和良好的选择性的特点,适用于环境监测和污染物检测等领域。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:4 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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