发明专利已授权

一种含硅量子点多层膜及其制备方法

📄 申请号：CN201810219237.7 📄 发布日：2026/07/31

著录项目信息

申请日

2018-03-16

公开号

CN108461386B

公开日

2020-02-11

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02

技术画像

所属领域

量子点材料量子点材料纳米材料薄膜材料

应用场景

光电器件, 发光二极管, 太阳能电池, 生物成像, 传感器

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摘要

本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于知识模型的自适应学习方法、系统及存储介质

当前第 / 件

一种高透防刮伤防蓝光纳米薄膜材料及其制备方法

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