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一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法

Name: 一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法
Brand: 河南神州灵山新材料有限公司
SKU: 2017107741215
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710774121.5 📄 发布日：2025/11/14

著录项目信息

申请日

2017-08-31

公开号

CN107546109B

公开日

2019-12-17

申请人

河南神州灵山新材料有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料等离子体表面处理金刚石窗口制备

应用场景

半导体器件, 光学窗口, 光电器件, 材料表面清洁, 微电子制造

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摘要

本发明公开了一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，包括如下步骤：利用丙酮将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口材料进行超声清洗；将清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于离子体装置反应腔中的基片台上并对腔体抽真空；待真空度下降到标准真空度后通入氢气；用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅完全还原成硅；最后用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。本发明利用氢等离子体将金刚石窗口表面的碳化硅还原成硅并用酸去除，在没有破坏金刚石窗口薄膜的前提下有效去除了残留在金刚石窗口表面的碳化硅等大分子杂质，减少了大分子杂质对金刚石薄膜窗口电子束的干扰和吸收，极大的提升了金刚石窗口的热稳定性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240301

?? 专利权的转移：

20191217

✅ 授权

20180130

?? 实质审查的生效：

20180105

📄 公开

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议价

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