本发明公开了一种区熔-定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法，合成方法包括：区熔-定向凝固竖直区熔方法；启动加热体加热材料到设定温度；启动变频振动器调制熔体质量传输和热传递；调节加热体提升装置的移动速度和调节温度梯度；退火处理。本发明利用区熔和定向凝固相结合的晶体生长方法，通过变频振动频率、加热体竖直向上移动速度和温度三个参数的耦合调制控制晶体的成核和生长过程，获得在350K-500K温区范围材料ZT值达1.7的纳米晶粒镶嵌的碲化铋基棒状热电材料；本发明所合成的热电材料对提高半导体温差电器件性能有巨大的促进，可广泛应用于高效废热回收和活性点温度管理等领域。
📄 201910640926X
📂 C30B13_28
👤 江阴市赛贝克半导体科技有限公司
📅 2019-07-16
本发明提供一种用于半导体材料的制备设备，包括箱体、箱门、夹持装置、镀膜装置和清理装置；所述箱体的前侧设置有开口，所述箱门可拆卸地盖合于所述箱体的开口，所述箱体内部固定设置有一加工台，所述加工台用于放置半导体；所述夹持装置和镀膜装置均设置于所述箱体内部，所述夹持装置用于夹持所述半导体，所述镀膜装置用于对所述半导体镀膜；所述清理装置设置于所述箱体上，用于清理所述加工台。相对于现有技术，本发明通过设置清理装置对加工台进行清洁，能够将加工台表面清洁干净，能够将加工台表面的废料清理掉，避免废料附着在加工台表面影响镀膜效率，能够对夹板起到保护的作用，增加夹板的使用寿命。
📄 2021113306585
📂 B05B13_04
👤 黄玮婷
📅 2021-11-11
本实用新型提供了一种半导体晶片，其包括：基座，基座内侧壁分别开设有定位槽和限位槽，晶片体边缘设有弧形结构的外凸起，端盖内部与基座嵌合套接，端盖底壁分别与压垫和限位杆固定连接，限位杆和压垫均延伸至基座内部，限位杆对应设置在外凸起两侧，压垫与晶片体边缘贴合连接。本申请采用基座进行半导体晶片体的安装，利用端盖对晶片体进行封装固定，在晶片体边缘设置外凸起并与基座的弧形槽配合实现定位安装的同时，减小因磕碰而导致晶片体出现裂缝和破损风险，且安装过程中可对端盖进行限位，使限位杆插接在基座内部进行晶片体限位，同时将晶片体压紧固定在基座内部实现稳定安装，提高装配便利性的同时，能够提高晶片体的保护作用。
📄 2023232106837
📂 H01L23_04
👤 珠海市盛大电子有限公司
📅 2024-07-23
本发明公开了一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1-x，其中0.29≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。
📄 2014101231179
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2014-03-28
本发明公开了一种GaN纳米颗粒的制备方法，该方法将硝酸镓和三聚氰胺的混合物依次在惰性气氛和空气气氛下高温焙烧，即可得到GaN纳米颗粒。本发明方法制备的GaN纳米颗粒纯度高，制备过程简单、容易操作，成本低廉，具有工业化应用前景。
📄 2017104710357
📂 C01B21_06
👤 陕西师范大学
📅 2017-06-20
本发明属于纳米技术领域，具体涉及一种Ga2O3相结纳米棒及其制备方法，Ga2O3相结为α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结，α‑Ga2O3相构成内核，β‑Ga2O3相环绕在α‑Ga2O3相的外围；所述α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结为纳米棒状，α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米棒为四棱柱，横截面为菱形。本发明的Ga2O3相结纳米棒采用水浴沉淀法产量丰富、制备过程简单、成本低、重复性好，可以实现工业上的批量生产，实现产业化。本发明的α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列分布均匀，纳米柱的长径比可控，在气敏传感器、光催化和电催化析氢中具有广泛的应用前景。
📄 2017109963817
📂 C01G15_00
👤 浙江理工大学
📅 2017-10-23
本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法，具体按照如下步骤进行：步骤1、多次采样，记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径，形成不同采样时刻k下的多组数据对；步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式；步骤3、对DBN网络进行训练；步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。
📄 2019100267072
📂 G06N3_04
👤 西安理工大学
📅 2019-01-11
本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应腔抽真空，抽真空后腔体压强为1pa；向石英反应腔内通入作为载气的惰性气体；同时加热管式炉内温区1中载有金属镓源的石英舟和温区2中的衬底；通过设置升温时间使温区1的工作温度和温区2中的工作温度同时达到相应设置的温度，打开氧气气路，让惰性气体携带氧气进入石英反应管，在衬底上沉积氧化镓薄膜，完成氧化镓薄膜制备，本发明解决了现有技术中存在的氧化镓材料中极易出现氧空位缺陷的问题。
📄 2020102951100
📂 H01L21_20
👤 西安理工大学
📅 2020-04-15
本发明公开了一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法，该装置包括：10.6微米二氧化碳激光器、632.8纳米氦氖激光器、硒化锌透镜、镀金反射镜、BK7玻璃透镜、二向色镜、双光束对称加热光路系统、三维机械移动平台系统、显微成像系统和玻璃包层半导体芯光纤；首先采用玻璃包层‑熔芯拉丝法拉制玻璃包层半导体芯光纤，然后利用二氧化碳激光扫描玻璃包层半导体芯光纤形成半导体微球，成球之后去除玻璃包层，再经洗涤、干燥后得到半导体微球。本发明利用10.6微米二氧化碳激光器对光纤进行精确成球，在特定的玻璃包层半导体芯光纤结构尺寸条件下，能够精确控制成球尺寸和球度，并能够大批量生产半导体微球，具有很大的实际应用前景。
📄 2019112260799
📂 C01B33_02
👤 江苏师范大学
📅 2019-12-04
本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺，包括生长室、容纳装置、翻转长晶装置等装置，翻转长晶装置包括承载板以及籽晶连接工件，在碳化硅气相生长的过程中，控制翻转长晶装置间断转动，碳化硅晶棒能够在两个籽晶连接工件两侧交替连续长出，在生长的过程提拉承载板朝着第二导料开口方向移动，能够将第一个碳化硅晶棒从第二导料开口处提拉进行取料，第二个碳化硅晶棒在底端的籽晶连接工件表面连续生成，完成碳化硅晶棒的交替连续生长，提高了碳化硅晶棒生长的效率。该发明能够实现碳化硅晶棒的连续生长，极大地提高了碳化硅晶棒的生长效率。
📄 2023110454476
📂 C30B23_00
👤 南通罡丰科技有限公司
📅 2023-08-18
本发明公开了一种二极管用外延片，包括上外壳和下外壳，所述上外壳设置于下外壳的顶部；所述下外壳的内部设有蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓，且所述蓝宝石、非掺杂氮化镓和n型重掺杂氮化镓依次从下往上紧密贴合，并均与下外壳固定连接；所述上外壳的内部设有多量子肼、p型铝镓氮、p型氮化镓和n型铝镓氮，该种二极管用外延片，在掺镓氧化锌的顶部安装了防反接二极管，可以有效的避免外延片释放静电导通到二极管内的问题，同时采用静电导线将静电导入大地，可以很好的消除静电，保护了二极管，由于在钛铝连接块的表面设置了凹槽，可以有效的和二极管连接柱卡住，很好的将外延片固定在二极管内。
📄 201810982088X
📂 H01L23_32
👤 安徽星宇生产力促进中心有限公司
📅 2018-08-27
本发明属于化学合成技术领域，具体涉及一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用。以废弃金属氧化物脱硫剂在酸性条件下生成的硫化氢为硫源及气泡软模板，以聚乙烯吡咯烷酮为分散剂，经一步水热反应，自组装生长成表面粗糙的核桃状中空结构。还包括一种核桃状中空硫化铜半导体材料的制备方法，所述材料用于光催化降解亚甲基蓝，根据Beer‑Lambert定律对有机染料的降解脱色进行光催化活性检测。本发明制得的硫化铜半导体材料具有优异的光催化降解有机染料性能，有望在光催化剂、荧光材料、太阳能电池和传感器等领域得到广泛应用。
📄 2022103548239
📂 C01G3_12
👤 曲阜师范大学
📅 2022-03-27
已申报项目
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台