发明专利已授权

侦测晶圆键合缺陷的方法和装置

📄 申请号：CN201811322355.7 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2018-11-08

公开号

CN109461670B

公开日

2021-01-22

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_66

IPC 分类号

H01L21_66

技术画像

所属领域

半导体制造半导体制造晶圆键合缺陷检测

应用场景

半导体制造, 集成电路制造, 晶圆级封装, 芯片键合, 半导体缺陷检测

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摘要

本发明技术方案公开了一种侦测晶圆键合缺陷的方法和装置，所述方法包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。本发明技术方案可以在键合过程中及时检测晶圆键合缺陷，减小晶圆键合的空洞率和缺陷率，降低晶圆键合后剥离的风险。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器及其形成方法和操作方法

当前第 / 件

像素单元电路、像素单元结构及其形成方法

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