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发明专利
已授权
一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法
📄 申请号:CN201611159376.2
📄 发布日:2026/03/20
著录项目信息
申请日
2016-12-15
公开号
CN106653609B
公开日
2019-11-29
申请人
温岭腾科电子有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L21_336
IPC 分类号
H01L21_336
,
H01L21_308
,
H01L21_266
,
H01L29_06
,
H01L29_10
,
H01L29_78
,
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
场效应晶体管
集成电路制造工艺
应用场景
集成电路制造, 半导体芯片, 逻辑电路, 低功耗电子设备, 高性能计算
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摘要
本发明公开了一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法,本发明的新型鳍式场效应晶体管,包括:基底;位于所述基底上的鳍部,所述鳍部两端形成源区和漏区;横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构,所述鳍部上表面呈凸齿结构,所述凸齿结构凸起部分为齿部,所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区,所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂,所述栅极结构嵌入所述鳍部的凸齿结构内,本发明可提高晶体管驱动电流,改善晶体管性能。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20191129
✅ 授权
20191126
⏳ 专利申请权的转移 :
20190118
⏳ 专利申请权的转移 :
20170606
?? 实质审查的生效 :
20170510
📄 公开
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