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摘 要:本发明提供了一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法,基于STI区域位于P型衬底上第一N型掺杂区域和第二N型掺杂区域之间的侦测结构,将栅极和源极浮空,漏极接入预设电压,获取漏电流的第一变化情况;将栅极浮空,源极接地,漏极接入所述预设电压,获取漏电流的第二变化情况;依据第一变化情况和第二变化情况,判断STI区域是否存在异常孔洞。该侦测方法通过在两种上电情况下,分别获取漏电流的变化情况,当STI区域存在异常孔洞时会有额外的漏电流产生,那么漏电流的第二变化情况必然会出现明显的变化,显然通过漏电流的两种变化情况可以判断出STI区域是否存在异常孔洞,且该侦测方法简单,耗时也比较短。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011456803.X | 专利名称: | 一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法 |
申请日: | 2020-12-10 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/66搜分类 集成电路搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-05 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112599436B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |