发明专利已授权

一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法

Name: 一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法
Brand: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
SKU: 202011456803X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011456803.X 📄 发布日：2026/06/29

著录项目信息

申请日

2020-12-10

公开号

CN112599436B

公开日

2022-07-05

申请人

泉芯集成电路制造(济南)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_66

IPC 分类号

H01L21_66

技术画像

所属领域

半导体制造半导体制造半导体器件检测集成电路工艺

应用场景

半导体制造, 集成电路制造, 晶圆缺陷检测, 工艺良率控制, 芯片生产

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摘要

本发明提供了一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法，基于STI区域位于P型衬底上第一N型掺杂区域和第二N型掺杂区域之间的侦测结构，将栅极和源极浮空，漏极接入预设电压，获取漏电流的第一变化情况；将栅极浮空，源极接地，漏极接入所述预设电压，获取漏电流的第二变化情况；依据第一变化情况和第二变化情况，判断STI区域是否存在异常孔洞。该侦测方法通过在两种上电情况下，分别获取漏电流的变化情况，当STI区域存在异常孔洞时会有额外的漏电流产生，那么漏电流的第二变化情况必然会出现明显的变化，显然通过漏电流的两种变化情况可以判断出STI区域是否存在异常孔洞，且该侦测方法简单，耗时也比较短。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220705

✅ 授权

20210423

?? 实质审查的生效：

20210402

📄 公开

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