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| 专利/申请号: | CN201611184781.X | 专利名称: | 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法 |
| 申请日: | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型: | 发明 | 地址: | |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L21/04 分类检索 |
| 公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量: | 14 | 所属领域: | 通信专利转让搜索 |
摘 要:本发明涉及一种基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法。该方法包括:选取GeOI衬底;在所述GeOI衬底表面生长GaAs材料;在所述GaAs材料上按照所述套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串;制作直流偏置线以连接所述SPiN二极管串与直流偏置电源;利用多个所述SPiN二极管串制作所述天线臂和所述套筒;制作所述同轴馈线以连接所述天线臂及所述套筒,最终形成所述套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线,通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通,形成等离子天线臂及套筒长度的可调,从而实现天线工作频率的可重构,具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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