发明专利已授权

一种InGaN外延层及其制造方法

📄 申请号：CN201811559460.2 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2018-12-19

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02 , C23C16_30 , C23C16_44 , C30B25_18 , C30B29_40 ,

技术画像

所属领域

半导体外延生长半导体外延生长 III-V族化合物半导体光电子器件

应用场景

LED照明, 显示器件, 半导体照明, 激光器, 光电子器件

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摘要

本发明提供了一种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。本发明的方法包括以下步骤：1)在Si衬底上直接生长第一InGaN层；和，2)在所述第一InGaN层上生长第二InGaN层。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于椭圆旋转抛物面相位分布的空间透镜扫描天线及其波束扫描方法

当前第 / 件

一种有机无机杂化的复合银纳米颗粒及其制备方法和应用

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