本实用新型公开了沉积炉技术领域的一种具有压差控制机构的高温双室真空沉积炉，包括加热室，所述加热室的内部固定安装有反应室，所述加热室和反应室之间固定安装有加热器，本实用新型通过预储罐的设置，能够将混合后的气体通过进气泵添加到其中，并且通过开合组件的控制，使预储罐中的混合气体进入到反应室中，当反应室内部气压产生变化的时候，气压过高时，可将多余的气体输送到回收罐中，气压过低时，回收罐中的气体会再次回流到反应室中，从而使反应室内部的气压始终保持最佳的反应状态，并且在气压变动的时候，输送的气体仍然为最开始的混合气体，因此不会使气体的性质发生改变，从而不会对反应造成影响。
📄 2022218944845
📂 C23C16_44
👤 广州市鸿浩光电半导体有限公司
📅 2022-07-21
本实用新型公开了气相沉积技术领域的一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置，包括底座，所述底座的顶部焊接有竖梁，所述竖梁的内壁转动连接有螺纹杆，所述底座内腔的顶部固定安装有第一电机，所述第一电机的输出轴与螺纹杆的底部固定安装，本实用新型通过第二电机来驱动转管进行旋转，并且通过转管来带动刮板转动，使刮板对反应室的内壁进行刮洗，将附着在反应室内壁上的沉积膜刮除，同时在抽气机的作用下，掉落在反应室内部的沉积膜会被抽取到收集盒中进行收集，而且抽气机排出的气体能够辅助刮板再次对反应室的内壁进行冲刷，进一步提升清洗洁净度，从而解决了附着牢固沉积物无法清理的问题，非常值得推广。
📄 2022218895340
📂 C23C16_44
👤 广州市鸿浩光电半导体有限公司
📅 2022-07-20
本实用新型公布了一种冷壁法CVD沉积设备，包括支撑座，支撑座的内腔左侧安装有电源，支撑座的内腔右侧安装有真空泵，支撑座的顶部中心连接有沉积箱，真空泵与沉积箱之间连通有抽气管，抽气管上安装有控制阀，支撑座的顶部左右两侧连接有液压杆，两个液压杆的顶部共同连接有压盖，压盖的底部左右两侧连接有固定架，两个固定架的下端之间转动连接有安装座，安装座的前后两端连接有加热棒，安装座沿长度方向开设有多个通槽；本实用新型结构设计合理，便于对晶片进行装卸，便于沉积操作的进行，能够充分利用加热产生的热能，减少反应物积聚残留在沉积箱内壁，方便对晶片的两个端面进行加工，避免了气体泄漏，节能环保，方便实用。
📄 202221684320X
📂 C23C16_44
👤 广州市鸿浩光电半导体有限公司
📅 2022-07-01
本实用新型公开了一种石墨烯纳米复合薄膜沉积装置，包括圆柱形体、多通道气体分配器、可旋转基材托盘、气溶胶喷射模块及磁控溅射组件，所述圆柱形体的内部为真空腔体，所述多通道气体分配器通过法兰盘固定安装在圆柱形体的顶端，所述圆柱形体的底端通过法兰盘固定安装有真空泵，所述圆柱形体的内部真空腔体中间处固定安装有隔板，所述隔板上设置有可旋转基材托盘，所述气溶胶喷射模块连接于多通道气体分配器，所述磁控溅射组件安装设置在圆柱形体的内部侧壁上；该石墨烯纳米复合薄膜沉积装置具有能够结合基材旋转实现薄膜均匀沉积，模块化设计支持单层或交替多层复合薄膜制备，柔性基材适配，高效真空系统，减少能量损耗等特点。
📄 2025205420440
📂 C23C16_44
👤 韩明琦
📅 2025-03-26
本发明公开了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，涉及碳化硅生产技术领域，具体为壳体和净化装置，所述壳体左端设置有加热端头，且加热端头内壁安置有加热丝，所述加热端头左端连接有进气端头，且进气端头左端连接有第一单向阀，所述壳体内部安置有冷凝管，该应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，设置的干燥箱内部存在的干燥球采用中性颗粒干燥剂，中性颗粒干燥剂一般可以干燥各种气体，可有效对反应气体进行进一步干燥处理，可通过拧松箱盖抓握把手将干燥箱从壳体内部进行拆卸，并通过滑开干燥箱底端下表面的封板对其内部的干燥球进行更换，从而保证干燥箱后续的干燥效果，干燥后的反应气体可有效保证碳化硅的生成效果。
📄 2020110980355
📂 C23C16_44
👤 江苏鑫汉电子材料有限公司
📅 2020-10-14
本发明公开了一种化学气相沉积设备专用挡板装置，包括真空转接法兰、挡板、挡板连接杆、支撑杆和手柄，真空转接法兰设置于沉积腔体的壳体上，支撑杆通过固定杆与沉积腔体连接，挡板设置于沉积腔体内，挡板与挡板连接杆一端连接，挡板连接杆的另一端横向依次穿过真空转接法兰和支架，与手柄连接，挡板连接杆通过轴承与支撑杆连接，通过前后移动手柄进而通过挡板连接杆带动挡板移动，挡板连接杆上还设有止动装置，当通过手柄带动挡板移动到合适位置时，通过止动装置对挡板连接杆止动固定。阻止沉积腔体内的源溶液蒸汽在基板上沉积，确保化学气相沉积的沉积时间为一可控的定值，减小实验误差，提高薄膜质量，该装置结构简单，操作方便，提高了工作效率。
📄 2016104163558
📂 C23C16_44
👤 武汉工程大学
📅 2016-06-14
本发明属于管式PECVD设备。为解决上述的PECVD恒温时间过长、转化效率低的问题，本发明提供一种节能高效的PECVD反应炉管装置，包括外侧炉体、加热炉体、纤维保温圈、电磁感应加热装置、石墨舟、推杆、支撑杆及法兰盘，所述法兰盘设置在外侧炉体的上下两端，法兰盘与外侧炉体之间设置纤维保温圈，所述支撑杆设置在加热炉体内，石墨舟设置在支撑杆上，所述电磁感应加热装置的电磁感应线圈环绕石墨舟设置；所述推杆包括上推杆和下推杆，下推杆上设置放置槽，上推杆伸出炉管的两端，下推杆位于炉管内。本发明通过电磁感应加热，升温速度快，通过电磁感应的磁场分布增强化学气相沉积，提高转化效率。
📄 2022104429129
📂 C23C16_44
👤 福建奇豆网络科技有限公司
📅 2022-04-25
本发明公开了一种雾化辅助CVD反应腔体，包括腔室，该腔室由腔室底板、腔室前盖板、腔室后盖板和反应区盖板粘接后形成，该反应区盖板设在腔室前盖板和腔室后盖板之间，反应区盖板的设置可以方便将衬底模板放置在腔室内的高温反应区，腔室底板、腔室前盖板、腔室后盖板和反应区盖板均采用石英材质制成，在对应腔室的高温反应区的下方位置设有若干热电偶，腔室的进口端与缓冲腔连通，且在靠近其进口端的位置还设有水冷装置。反应腔体是由石英材质制成的，高温反应区域是透明的，可以直接观察反应区域的细节情况，也可以便捷实现光辐射在薄膜生长区域的导入，不仅有利于探讨成膜机制、而且也是一种工艺优化的技术手段。
📄 2022103914517
📂 C23C16_44
👤 重庆理工大学
📅 2022-04-14
本发明公开了一种紧凑型雾化辅助CVD薄膜制备装置,包括机箱,该机箱上滑动设有雾化单元、缓冲腔体、加热单元和尾气收集单元,所述雾化单元与缓冲腔体连通,石英腔体的一端与所述缓冲腔体连通,另一端与尾气收集单元连通,所述石英腔体内设衬底样品,所述石英腔体穿设在所述加热单元并通过该加热单元进行加热,前驱体溶液经过所述雾化单元雾化后进入所述缓冲腔体,由所述缓冲腔体进入所述石英腔体内进行薄膜制备。本方案加热单元整体可以移动,不仅可以有效改变石英腔体内薄膜沉积区域竖直方向的温度梯度,而且水平方向也具有温度场可调整性,这对于探索薄膜生长机制提供了条件。
📄 2022103901339
📂 C23C16_44
👤 重庆理工大学
📅 2022-04-14
本发明涉及化学气相沉积技术领域，具体为一种化学气相沉积设备，包括箱体、铰接在箱体上的箱盖、固定安装在箱盖上的进料口，所述箱体的内壁上固定安装有缓冲箱，所述进料口的底部与缓冲箱的上端连通，所述缓冲箱的内部固定安装有第一固定杆，所述第一固定杆的下端设有扇叶。本发明通过设置第一固定杆、扇叶、缓冲箱等机构，待沉积气体由进料口进入箱体内部，利用驱动设备带动扇叶旋转，旋转的扇叶在进料口处形成气流，加快待沉积气体进入缓冲箱的速度，待沉积气体通过通气孔扩散到缓冲箱的下端，使得待沉积气体均匀扩散到箱体内腔中。
📄 2022101301871
📂 C23C16_44
👤 李涛
📅 2022-02-11
本实用新型涉及气相沉积设备技术领域，且公开了一种PE管的外部快速气相沉积装置，包括一级沉积室，所述一级沉积室的上方设置有排气涡轮，所述一级沉积室内对应排气涡轮的上方设置有吸气口，所述一级沉积室内部的底部设置有调整丝杆，所述调整丝杆上设置有两个二级沉积室，所述一级沉积室的下方设置有供气盒。该PE管的外部快速气相沉积装置，通过设置两个缓冲区，有效提高了核心反应区的气体浓度，减少了反应气的泄漏，节约成本的同时，有效保证反应质量，多余的气体溢出二级沉积室后在一级沉积室内继续缓慢反应，两次反应的方式大大提高了沉积速度，可以有效提高生产效率，解决产能不足的问题。
📄 2023216753547
📂 C23C16_44
👤 江西建邦装配式建筑有限公司
📅 2023-06-29
柿子坊 · 知识产权运营
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