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一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法

Name: 一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2020102951100
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010295110.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-04-15

公开号

CN111430225A

公开日

2020-07-17

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_20

IPC 分类号

H01L21_20 , H01L21_02 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料外延生长氧化物半导体

应用场景

功率半导体器件, 射频器件, 光电子器件, 电力电子, 高温高频器件

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摘要

本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应腔抽真空，抽真空后腔体压强为1pa；向石英反应腔内通入作为载气的惰性气体；同时加热管式炉内温区1中载有金属镓源的石英舟和温区2中的衬底；通过设置升温时间使温区1的工作温度和温区2中的工作温度同时达到相应设置的温度，打开氧气气路，让惰性气体携带氧气进入石英反应管，在衬底上沉积氧化镓薄膜，完成氧化镓薄膜制备，本发明解决了现有技术中存在的氧化镓材料中极易出现氧空位缺陷的问题。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220222

✅ 授权

20200811

?? 实质审查的生效：

20200717

📄 公开

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