发明专利已授权

应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN202110758625.4 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-07-05

公开号

CN113571474B

公开日

2024-05-31

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_8238

IPC 分类号

H01L21_8238 , H01L27_092 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件场效应晶体管二维材料

应用场景

集成电路, 半导体芯片, 光电器件, 电子器件, 传感器

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摘要

本发明提供一种应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法，本发明提供的应变黑磷CMOS场效应晶体管包括二氧化硅衬底、二氧化硅外延层、二氧化铪层、应变黑磷层和本征黑磷层、二氧化铪栅介质层、源漏电极和栅电极；二氧化铪层使用激光辅助结晶方法生长单层黑磷，经高温退火铪原子扩散至单层黑磷产生双轴压应力，得到作为NMOS沟道的应变黑磷层；在二氧化硅外延层上生长作为PMOS沟道的单层本征黑磷层；本发明通过对单层黑磷施加双轴压应力，实现本征黑磷从p型半导体到n型半导体的转换，制备一种应变黑磷COMS场效应晶体管。该晶体管易于与传统硅基半导体器件集成，单层本征黑磷和在双轴压应力下的单层应变黑磷具有较高的载流子迁移率，能有效抑制短沟道效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于多陶瓷复合材料的光固化增材制造设备及方法

当前第 / 件

一种气球充气及封装一体化装置

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