发明专利已授权

一种MIM电容器结构的制造方法

📄 申请号：CN201611066420.5 📄 发布日：2025/10/11

著录项目信息

申请日

2016-11-28

申请人

新昌县诺趣智能科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件集成电路制造电容器结构

应用场景

集成电路, 芯片制造, 射频电路, 存储器, 模拟电路

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摘要

本发明提供了一种MIM电容器结构的制造方法，该方法制造的MIM电容器结构通过在衬底的背面形成凹槽，然后在凹槽中形成电容器可以减小整体结构的厚度，并且利用边缘断开的导电导热层进行电连接和散热，保证封装结构的散热效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190430

✅ 授权

20190416

⏳ 专利申请权的转移：

20170322

?? 实质审查的生效：

20170222

📄 公开

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