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| 专利/申请号： | CN201810689962.0 | 专利名称： | 具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法 |
| 申请日： | 2018-06-28 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/335 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2018-12-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN109037063A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 6 | 所属领域： | 半导体制造技术 温差发电技术 电子器件集成专利转让搜索 |
应用场景：工业废热回收发电;物联网设备自供电系统;高温环境能量采集
摘 要：本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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