本发明公开了一种激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料及其制备方法和应用，属于热电材料与器件技术领域。所述制备方法包括：将PbS均匀分散于溶剂中得到溶液A，将溶液A在超声中通过非聚焦激光器辐照处理得到溶液B；将SnCl2·2H2O均匀分散于溶剂中得到溶液C，将NaSeO3均匀分散于溶液C中得到溶液D；将溶液B和溶液D混合均匀得到溶液E，将NaOH均匀分散于溶液E中后进行溶剂热反应，将所得产物体系经清洗后干燥得到固体产物；将固体产物通过放电等离子烧结压制处理，制得激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料。制得的激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料提高了电导率和塞贝克系数，能够应用于制备深空航天器超长寿命电源或用于制备自供电无限传感器等应用场合。
📄 2021108029578
📂 H01L35_34
👤 陕西科技大学
📅 2021-07-15
本发明公开了一种S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜及其制备方法，属于纳米能源热电材料技术领域。所述制备方法包括：将Na2SeO3和SnCl2·2H2O溶解于溶剂A中得到溶液A，将单质S溶解于溶液A中，得到溶液B，将CNTs超声分散在溶液B中，得到溶液C；将溶液C进行溶剂热反应得到产物体系，将产物体系经过离心清洗后干燥制得干燥的产物D；将干燥的产物D超声分散于溶剂B中后进行真空抽滤得到薄膜E，干燥后得到S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜，所得S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜为SnSe1‑xSx/CNTs复合柔性薄膜，0＜x≤0.05。采用上述制备方法制得的S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜，在保持复合薄膜柔韧性的同时提高了电导率。
📄 2021108029629
📂 H01L35_34
👤 陕西科技大学
📅 2021-07-15
本发明涉及一种气相后处理提高PPy−Cl−PVA薄膜ZT值的方法，将高氧化掺杂态的PPy−Cl−PVA（聚吡咯‑氯‑聚乙烯醇）薄膜置于含有一定浓度氢溴酸的气相室中1 min‑30 min，气相室中的温度为70‑100℃，取出清洗干燥后可大幅度提高PPy−Cl−PVA薄膜的功率因子。经过氢溴酸气相法后处理的PPy−Cl−PVA薄膜一方面去除聚合物中的绝缘相PVA，大大提高了PPy链结构中的载流子迁移率，另一方面溴离子作为掺杂离子进入PPy链结构中并没有引起聚合物中载流子浓度大幅度降低，导致PPy薄膜电导率和Seebeck系数同时得到提高，从而得到高热电性能的聚合物薄膜。
📄 2018104197746
📂 H01L35_34
👤 河南工程学院
📅 2018-05-04
本发明提供了一种银纳米粒子负载铝酸镁材料的制备方法及制得的材料，所述方法包括如下步骤：1)将海草状铝酸镁粉体和可溶性银盐溶液混合，超声分散10～60min，再搅拌10～60min，混合均匀得到混合溶液；所述可溶性银盐的质量分数为0.1～20％；2)将步骤1)的所述混合溶液与还原剂混合，搅拌10～60min，混合均匀；干燥除去水分，得到MgAl2O4/Ag纳米粉体；3)将步骤2)得到的MgAl2O4/Ag纳米粉体进行放电等离子烧结，得到所述银纳米粒子负载铝酸镁材料；本发明利用Ag的高导电性、铝酸镁的海草状一维传输结构及铝酸镁的高塞贝克系数，制备出了高性能的陶瓷热电材料。
📄 2017102078790
📂 H01L35_34
👤 武汉工程大学
📅 2017-03-31
一种用于半导体制冷片生产的半导体颗粒补漏装置，包括工作台、设置在工作台上的输送带、前端检测架、后端补料架、控制中心，前端检测架前端设前端定位感应器，前端感应架底部设检测装置，检测装置上均匀分布红外检测仪，后端补料架前端设后端定位传感器，后端补料架上转动连接气缸，气缸下设补料装置，补料装置内包括伸缩杆、与伸缩杆固定连接的气管，气管与气缸连通，气管末端设吸盘，补料装置分为N型、P型两部分，前端定位传感器、后端定位传感器、前端检测架、后端补料架、输送带与控制中心电联，端检测架上的红外检测仪和待检测半导体上的半导体颗粒排布密度相同，实现一对一检测，通过测距，并将测量的距离与预设合理范围进行对比，来判定测定位置是否有颗粒缺失，一旦发现缺失，后端补料架上的补料装置进行补料作业，实现检测补料自动化。
📄 2021232729400
📂 H01L35_34
👤 江苏星河电子科技有限公司
📅 2021-12-24
已申报项目
本发明公开了一种高危区域防辐射用高能光线吸收转换材料及其制造方法，该吸收转换材料由ITO玻璃和固化在ITO玻璃表面的功能体组成，该功能体是以聚酰亚胺树脂、氨化石墨烯电热均化介质、光热感应液及碲化铋粉末为原材料，将它们以质量比30：(8‑10):(25‑35):(30‑35)配比均匀后固化获得。本发明集成光电转换与热电转换功能、总效率高、阻隔高能射线、安全保障系数高。
📄 2019106150908
📂 H01L35_34
👤 山东光韵智能科技有限公司
📅 2019-07-09
已申报项目
本发明公开了一种硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料的制备方法。其包括如下步骤：（1）在加热条件下，将硫代乙酰胺的二乙二醇溶液滴加到铜盐的二乙二醇溶液中，滴加完毕后，继续保温反应，反应结束后，自然冷却至室温、离心分离、干燥，得到硫化亚铜纳米粉末；（2）称取硫化亚铜纳米粉末和碳化硅粉末加入球磨罐中，再把球磨罐放入星式球磨机中进行球磨，球磨结束后取出样品进行研磨，得到复合粉末；（3）将复合粉末进行真空热压成型，得到硫化亚铜复合碳化硅块体材料。本发明采用化学沉淀法制备硫化亚铜纳米粉末，工艺简单，原料来源广泛；本发明制备硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料，将硫化亚铜和碳化硅复合时，球磨速度适中，安全可靠。
📄 2019107670346
📂 H01L35_34
👤 上海第二工业大学
📅 2019-08-20
一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法，涉及一种热电材料调控方法，属于新能源材料领域，本发明方法解决现有技术中晶界结构和化学性质随着温度、压力和化学势等热力学参数的变化产生不连续地变化等问题。该方法包括以下过程：第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材，采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn为原料，采用蒸发技术，在n型Bi2Te3薄膜的表面镀上Sn。第三步采用保护气退火炉对镀Sn后的n型Bi2Te3在高温下退火后，随炉冷却，以获得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本发明方法为低温发电微型器件的性能优化提供高性能、低成本、设备简单、工艺简单、操作易控、性能均匀、稳定的优化工艺方案。
📄 2018101090179
📂 H01L35_34
👤 重庆河狸家网络技术有限公司
📅 2018-02-05
本发明提供一种SnS/C‑PEDOT:PSS柔性热电薄膜及制备方法，所述方法包括步骤1，以SnCl2·2H2O为锡源，PVP为粘结剂，通过静电纺丝工艺制备SnCl2/PVP纳米纤维，之后将SnCl2/PVP纳米纤维依次进行预氧化和硫化；步骤2，将得到的SnS/PVP纳米纤维在500‑800℃下碳化，之后研磨成颗粒，得到SnS/C纳米纤维粉末；步骤3，将SnS/C纳米纤维粉末超声分散在有机溶剂中，之后加入PEDOT:PSS水溶液，得到质量分数为5％‑10％的SnS/C纳米纤维分散液；步骤4，将SnS/C纳米纤维分散液进行真空抽滤，得到SnS/C‑PEDOT:PSS柔性热电薄膜。
📄 2021110954961
📂 H01L35_34
👤 陕西科技大学
📅 2021-09-17
本发明公开了一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法，该方法通过将三个半导体量子点耦合成环形结构，并对与量子点连接的两侧电极施加热辐射，让环形量子点结构中存在温度梯度；如果在连接量子点的隧道结上施加磁场，则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关，从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时，会发生不同的干涉效应，使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开，从而获得纯热电势；通过调整结构参数，可以让环形量子点结构的自旋热电势进一步增强，为设计快速响应、高效低能耗和灵敏温度探测提供基础；优于传统的电荷热电势，突破了热电效率低下的限制，且适用于自旋过滤装置或热电转换领域。
📄 2019103433182
📂 H01L35_34
👤 电子科技大学中山学院
📅 2019-04-25
本发明提供了一种高强度高性能复合热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将Bi2Te3块，Sm块，Ag块，La块按摩尔比1:1:0.01-0.05:0.01-0.02装入单辊急冷设备中，利用高频感应加热方式将其熔融；(2)在上述熔融液中加入相对熔融液总质量5-10%的氧化锆纤维，搅拌均匀，在氩气气氛中，对进行甩带处理，得复合薄带材料；(3)将复合薄带材料碾磨粉碎成粉末后，加入相对复合薄带粉末质量0.1-0.3%的S粉，1-3%高纯超微碳粉，混合均匀后进行放电等离子体烧结，得到复合热电块体材料。本发明制备的产品增强了复合热电材料的力学强度同时还提高了其热电优值ZT。
📄 2020102547742
📂 H01L35_34
👤 湖州帷幄知识产权运营有限公司
📅 2020-04-02
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