发明专利已授权

一种功率元件的保护器件及其制作方法

📄 申请号：CN201810257531.7 📄 发布日：2026/06/29

著录项目信息

申请日

2018-03-27

公开号

CN108417534B

公开日

2020-09-04

申请人

南京恒众信息科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_82

IPC 分类号

H01L21_82 , H01L27_02 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体保护器件半导体器件制造工艺

应用场景

电源管理, 新能源汽车, 电力电子变流器, 工业控制, 光伏逆变器

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摘要

本发明提供了一种功率元件的保护器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，首先，提供N型衬底，在N型衬底内形成第一氧化硅层，刻蚀去除第一氧化硅层的底部；其次，依次形成第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层，在第一P型外延层的下表面形成氧化硅底层；再次，在第一P型外延层、N型外延层和第二P型外延层内凹槽的侧壁形成第二氧化硅层；然后，形成第三氧化硅层及金属层，形成第一电极和第二电极；最后，表面形成氧化硅钝化层。该技术方案通过采用埋层工艺实现了TVS的集成，提高了器件抗浪涌能力，减小了器件的面积，实现了高端IC的小尺寸封装，缓解了现有技术存在的抗浪涌能力低、器件面积大的技术问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种可视化检测转基因食品的方法

当前第 / 件

茶叶杀青设备

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