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一种薄膜晶体管制备方法

Name: 一种薄膜晶体管制备方法
Brand: 青岛科技大学
SKU: 2021103006692
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110300669.2 📄 发布日：2026/09/23

著录项目信息

申请日

2021-03-22

申请人

青岛科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02 , H01L21_28 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

显示面板, 液晶显示, 有源矩阵显示, 电子设备, 柔性显示

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摘要

本发明属于晶体管制备技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法，将溶液法和热退火相结合制备超薄Tm2O3介电层和高迁移率的In2O3半导体沟道层，进而制备高性能的TFT，与现有技术相比，具有以下优点：一是Tm2O3高k栅介电层的物理厚度小于15nm，低漏电流的特性能够很好地满足微电子集成化对于器件尺寸的需求；二是Tm2O3薄膜为非晶态，可大面积均匀制备介电层；三是采用等离子体清洗衬底表面，能够增加旋涂时Tm2O3前驱体溶液在衬底的附着力，使得旋涂表面更加均一平整；四是薄膜晶体管中的半导体沟道层和高k介电层均是利用溶液法制备的，成本低廉，制备过程不需要高真空环境，在空气中即可进行。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：18 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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