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一种InP基纳米周期结构的制备方法

Name: 一种InP基纳米周期结构的制备方法
Brand: 江苏师范大学
SKU: 202110342868X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110342868.X 📄 发布日：2026/09/07

著录项目信息

申请日

2021-03-30

公开号

CN113223936B

公开日

2024-05-03

申请人

江苏师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_027

IPC 分类号

H01L21_027 , H01L21_3065 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光通信, 光电子器件, 光子集成, 半导体激光器, 光电探测器

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摘要

一种InP基纳米周期结构的制备方法，包括：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶，将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘，利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小一定倍数设计掩模图形，采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影，利用感应耦合等离子体技术在甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP，利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。本发明通过收缩掩模图形和降低刻蚀沉积两个步骤的协同耦合效应，既能抵消曝光过程中电子的邻近效应，提高电子束曝光均匀度，又可以减少等离子体刻蚀反应中的沉积物平铺堆积，改善纳米结构的边缘形貌，从而得到目标线宽的纳米周期结构。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113223936B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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