发明专利已授权

一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法

📄 申请号：CN202210473606.1 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2022-04-29

公开号

CN114864382A

公开日

2022-08-05

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02 , C01B17_00 , C01G39_06 , C01G41_00 , C23C16_30 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料过渡金属硫化物梯度材料制备

应用场景

电子器件, 光电器件, 催化剂, 润滑材料, 传感器

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摘要

本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

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