发明专利已授权

一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用

📄 申请号：CN201910651571.4 📄 发布日：2026/04/03

著录项目信息

申请日

2019-07-18

公开号

CN110364422B

公开日

2021-05-18

申请人

商丘师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02 , H01L31_18 , B82Y20_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

铜铟镓硫材料铜铟镓硫材料二维纳米结构纳米材料制备

应用场景

薄膜太阳能电池, 光电探测器, 光催化

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摘要

本发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用，所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上，通过水热法直接生长CuxS纳米片团簇，然后在其上SILAR铟镓硫，再进行退火，使沉积的铟镓硫部分进入到CuxS晶格中，得到铜铟镓硫二维纳米结构阵列。其中，SILAR法能够通过控制沉积循环数来调节沉积薄膜的厚度，同时该方法继承了原子层沉积的优点，可实现薄膜在复杂基底的均匀沉积。本发明制备的二维纳米结构阵列排列有序，周期性好，光吸收性能优良，可用于高效率大面积太阳能电池的制备。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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