发明专利已授权

一种碳化硅晶圆加工工艺

📄 申请号：CN202111162163.6 📄 发布日：2026/08/12

著录项目信息

申请日

2021-09-30

公开号

CN113903656A

公开日

2022-01-07

申请人

浙江同芯祺科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02 , H01L21_683 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

半导体器件制造, 功率器件, 新能源汽车, 5G通信, 航空航天

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摘要

本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20260410

✅ 授权

20220125

?? 实质审查的生效：

20220107

📄 公开

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