实用新型已授权

一种IGBT半导体器件

📄 申请号：CN202023109960.1 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2020-12-22

公开号

CN216145623U

公开日

2022-03-29

申请人

张家港意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L29_417

IPC 分类号

H01L29_417 , H01L29_739 , H01L21_28 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT器件半导体器件

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 光伏逆变器, 储能系统

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本实用新型涉及一种IGBT半导体器件，包括：发射极和栅极；设置于所述发射极的金属层。本实用新型在于IGBT发射极(E)表面蒸发金属银，可采用CLIP链接，实现IGBT发射极(E)焊接面积最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同时不改变栅极(G)金属结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种凹槽型GaN基肖特基二极管

当前第 / 件

一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_417)

H01L29_06 H01L29_08 H01L29_10 H01L29_20 H01L29_24 H01L29_40 H01L29_41 H01L29_417 H01L29_423 H01L29_47 H01L29_51 H01L29_73 H01L29_737 H01L29_739 H01L29_74 H01L29_745 H01L29_772 H01L29_778 H01L29_78 H01L29_786 H01L29_788 H01L29_861 H01L29_868 H01L29_872 H01L29_88 H01L29_93 覆盖26个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：31 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)