实用新型已授权

一种复合式钝化膜

📄 申请号：CN202120217286.4 📄 发布日：2026/02/04

著录项目信息

申请日

2021-01-26

公开号

CN214956754U

公开日

2021-11-30

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02

技术画像

所属领域

表面处理技术表面处理技术化学转化膜金属防腐蚀材料

应用场景

金属防腐蚀, 工业设备防腐, 汽车零部件表面处理, 建筑材料防护, 五金制品防锈

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摘要

本实用新型涉及一种复合式钝化膜，应用于包含硅分子的平面结构器件，其特征在于，所述复合式钝化膜包括：平铺于所述平面结构器件上的第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；平铺于所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；平铺于所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；平铺于所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。本实用新型可以为平面硅结构器件提供更好的钝化保护。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件

当前第 / 件

一种硅片扩散炉持续供气系统

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_02)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

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