实用新型已授权

一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件

📄 申请号：CN202120214329.3 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-01-26

公开号

CN214313186U

公开日

2021-09-28

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L23_367

IPC 分类号

H01L23_367 , H01L23_473 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓外延技术 IGBT器件

应用场景

新能源汽车, 储能系统, 工业自动化, 智能电网, 光伏逆变器

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摘要

本实用新型公开一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，包括上盖板和半导体固定槽，所述上盖板表面设置有半导体固定槽，在上盖板的底端设置有散热层，在散热层的前端设置有散热网，散热网的中间设置有冷却液加注口，当冷却液从加注口加入后，将半导体安装到半导体固定槽内部，通过底座的四个螺栓固定孔将Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件安装到位后，半导体产生的大量热量通过底端的金属制成散热层吸热，在散热层的内部散热液快速六流动过程中通过散热网与空气中的冷空气热量加快交换，提升的半导体的散热速度，提升半导体工作性能，相比于传统半导体器件，新型Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件散热效率更加高效，适用范围更广。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种双面散热半导体IGBT管

当前第 / 件

一种复合式钝化膜

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_367)

H01L23_02 H01L23_04 H01L23_053 H01L23_055 H01L23_06 H01L23_10 H01L23_12 H01L23_13 H01L23_14 H01L23_15 H01L23_16 H01L23_24 H01L23_26 H01L23_29 H01L23_31 H01L23_32 H01L23_367 H01L23_373 H01L23_40 H01L23_427 H01L23_433 H01L23_467 H01L23_473 H01L23_48 H01L23_488 H01L23_49 H01L23_495 H01L23_498 H01L23_522 H01L23_525 H01L23_528 H01L23_538 H01L23_544 H01L23_552 H01L23_58 H01L23_60 H01L23_64 覆盖37个领域

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