发明专利已授权

具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法

📄 申请号：CN202110153096.5 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2021-02-04

公开号

CN112992653B

公开日

2023-05-23

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_02

IPC 分类号

H01L21_02

技术画像

所属领域

半导体衬底半导体衬底 III族氮化物材料半导体材料加工

应用场景

光电子器件, 射频器件, 功率电子器件, 半导体外延生长, LED照明与显示

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摘要

本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法，该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向，沿不同方向制备具有不同周期的图形，用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底，可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题，从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量，广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于多通道自由空间光通信的能见度分析系统和方法

当前第 / 件

基于X波段雷达图像的内波相速度场及参数的提取方法

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