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本申请提供一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，并针对每个待测芯片组，根据该待测芯片组内具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片各自的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度，而后根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，从而根据特性对应关系确定出待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升电气特性量测精准度及稳定性。

本发明公开了一种具有非对称周期结构的III族氮化物复合衬底及其加工方法，该复合衬底在特定取向的衬底上定义特定的两个方向，沿不同方向制备具有不同周期的图形，用于二次外延非、半极性III族氮化物材料。使用该复合衬底，可解决非、半极性III族氮化物在生长面内与传统常规衬底存在晶格失配各向异性的问题，从而提高非、半极性III族氮化物的外延生长质量，广泛应用于非、半极性III族氮化物光电子和电力电子器件。